[發明專利]殼體及其制作方法

無效

• 申請號: 201010254314.6
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN102378512A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H05K5/00
• 分類號: H05K5/00;C23C14/24;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種殼體，其包括一基體及一形成于基體表面的光致變色層，其特征在于：該光致變色層為一氯化銀-氯化亞銅層或溴化銀-溴化亞銅層。

2.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述光致變色層以真空蒸鍍的方式形成，其厚度為500-1500nm。

3.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述光致變色層中的氯化亞銅或溴化亞銅的質量百分含量為10-20％。

4.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述殼體還包括一一保護層，該保護層形成于光致變色層的表面。

5.如權利要求4所述的殼體，其特征在于：所述保護層為一以真空蒸鍍的方式形成的透明的二氧化硅光學膜層，其厚度為300-500nm。

6.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述基體的材料為金屬、玻璃或塑料。

7.一種殼體的制作方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

采用真空蒸鍍法在該基體的表面沉積一光致變色層，沉積過程中同時對基體進行離子束轟擊；所述的光致變色層為一氯化銀-氯化亞銅層或溴化銀-溴化亞銅層。

8.如權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于：所述真空蒸鍍法以氯化銀與氯化亞銅的混合塊體或溴化銀與溴化亞銅的混合塊體作為蒸料，采用電子束加熱，蒸發沉積的速率為3-10埃/秒，蒸鍍的溫度為50-150℃。

9.如權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于：所述離子束轟擊的功率為900-1500瓦。

10.如權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于：所述制作方法還包括在所述光致變色層的表面蒸鍍一透明二氧化硅保護層的步驟。