[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010254218.1
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN101996895A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: R·A·帕蓋拉
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/52
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;王忠忠

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供臨時載體；

利用面向所述臨時載體的多個第一接觸焊盤安裝第一半導體管芯；

在第一半導體管芯和臨時載體上沉積第一密封劑；

除去所述臨時載體；

在第一密封劑的第一表面和第一半導體管芯上形成第一互連結構，第一互連結構被電連接到第一半導體管芯的多個第一接觸焊盤；

在第一互連結構上形成多個第一導電柱；

利用面向第一互連結構的多個第二接觸焊盤在所述第一導電柱之間安裝第二半導體管芯；

在第二半導體管芯和第一互連結構上沉積第二密封劑；以及

在第二密封劑上形成第二互連結構，第二互連結構被電連接到所述第一導電柱以及第一和第二半導體管芯的所述第一和第二接觸焊盤。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成第一密封劑之前在所述臨時載體上形成多個第二導電柱；以及

在與第一密封劑的第一表面相對的第一密封劑的第二表面上形成第三互連結構，第三互連結構被電連接到所述第二導電柱和第一互連結構。

3.如權利要求1所述的方法，其中形成第二互連結構包括：

在第二密封劑上形成導電層；以及

在導電層和所述第一導電柱上形成凸塊。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一導電柱從第二密封劑伸出。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一導電柱相對于第二半導體管芯上的第二密封劑的一部分凹進。

6.如權利要求1所述的方法，進一步包括平面化第一密封劑以暴露與所述第一接觸焊盤相對的第一半導體管芯的后表面。

7.如權利要求1所述的方法，進一步包括平面化第二密封劑以暴露與所述第二接觸焊盤相對的第二半導體管芯的后表面。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體部件；

在第一半導體部件上沉積第一密封劑；

在第一密封劑的第一表面和第一半導體部件上形成第一互連結構，第一互連結構被電連接到第一半導體部件；

將第二半導體部件安裝到第一互連結構；

在第二半導體部件和第一互連結構上沉積第二密封劑；以及

在第二密封劑上形成第二互連結構，第二互連結構被電連接到多個第一導電柱以及第一和第二半導體部件。

9.如權利要求8所述的方法，進一步包括：

在形成第二密封劑之前在第一互連結構上形成多個導電柱；以及

在第二半導體部件和第一互連結構上以及在所述導電柱周圍沉積第二密封劑。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述導電柱從第二密封劑伸出。

11.如權利要求8所述的方法，進一步包括形成通過第二密封劑的導電通路。

12.如權利要求8所述的方法，進一步包括：

在形成第一密封劑之前形成鄰近第一半導體部件的多個導電柱；以及

在與第一密封劑的第一表面相對的第一密封劑的第二表面上形成第三互連結構，第三互連結構被電連接到所述導電柱和第一互連結構。

13.如權利要求8所述的方法，其中形成第二互連結構包括：

在第一密封劑的第二表面上形成導電層；以及

在所述導電層上形成多個凸塊。

14.如權利要求8所述的方法，進一步包括在第一半導體部件或第二半導體部件上形成屏蔽層。

15.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體部件；

在第一半導體部件上沉積第一密封劑；

在第一密封劑的第一表面和第一半導體部件上形成第一互連結構，第一互連結構被電連接到第一半導體部件；

將第二半導體部件安裝到第一互連結構；

在第二半導體部件和第一互連結構上沉積第二密封劑；以及

在第二密封劑上形成第二互連結構，第二互連結構被電連接到第一和第二半導體部件。