[發明專利]半導體器件和圍繞管芯周邊形成壩材料以減小翹曲的方法

有效

• 申請號: 201010254217.7
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN101996894A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: R·A·帕蓋拉
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/29;H01L25/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;王忠忠

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供具有用于第一半導體管芯的指定區域的臨時載體；

在用于第一半導體管芯的指定區域周圍的臨時載體上沉積壩材料；

安裝第一半導體管芯，并且它的有源表面面向所述臨時載體上的指定區域；

在第一半導體管芯和所述臨時載體上沉積密封劑，所述壩材料被選擇為具有與密封劑的熱膨脹系數(CTE)相對應的熱膨脹系數(CTE)；

除去所述臨時載體以暴露密封劑的第一側和第一半導體管芯的有源表面；以及

在密封劑的第一側上形成第一互連結構。

2.如權利要求1所述的方法，其中壩材料的CTE等于或小于密封劑的CTE。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括在第一半導體管芯上形成屏蔽層。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括形成直到密封劑的頂表面的壩材料。

5.如權利要求1所述的方法，進一步包括在密封劑和第一半導體管芯上安裝熱沉。

6.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在與第一半導體管芯的有源表面相對的第一半導體管芯的后表面上形成第二互連結構；

在第一和第二互連結構之間形成導電柱；以及

將第二半導體管芯安裝到第二互連結構。

7.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

安裝第一半導體管芯使得第一半導體的一部分由所述壩材料支撐；以及

在第一半導體管芯上的接觸焊盤和第一互連結構之間形成凸塊。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供具有用于第一半導體部件的指定區域的載體；

在用于第一半導體部件的指定區域周圍的載體上沉積壩材料；

將第一半導體部件安裝到所述載體上的指定區域；

在第一半導體部件和臨時載體上沉積密封劑；

除去所述載體；以及

在密封劑上形成第一互連結構。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述壩材料的熱膨脹系數(CTE)等于或小于密封劑的CTE。

10.如權利要求8所述的方法，進一步包括在第一半導體部件上形成屏蔽層。

11.如權利要求8所述的方法，進一步包括形成直到密封劑的頂表面的壩材料。

12.如權利要求8所述的方法，進一步包括在密封劑和第一半導體部件上安裝熱沉。

13.如權利要求8所述的方法，進一步包括：

在第一半導體部件上形成第二互連結構；以及

將第二半導體部件安裝到第二互連結構。

14.如權利要求8所述的方法，進一步包括：

安裝第一半導體部件使得第一半導體的一部分由所述壩材料支撐；以及

在第一半導體部件上的接觸焊盤和第一互連結構之間形成凸塊。

15.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體部件；

圍繞第一半導體部件的周邊沉積壩材料；

在第一半導體部件上沉積密封劑，所述壩材料被選擇為具有與密封劑的熱膨脹系數(CTE)相對應的熱膨脹系數(CTE)；以及

在密封劑上形成第一互連結構。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述壩材料的CTE等于或小于密封劑的CTE。

17.如權利要求15所述的方法，進一步包括在第一半導體部件的周圍形成屏蔽層。

18.如權利要求15所述的方法，進一步包括形成直到密封劑的頂表面的壩材料。

19.如權利要求15所述的方法，進一步包括在密封劑和第一半導體部件上安裝熱沉。

20.如權利要求15所述的方法，進一步包括：

在第一半導體部件上形成第二互連結構；以及

將第二半導體部件安裝到第二互連結構。