[發明專利]微波大功率，低限幅電平的砷化鎵PIN管限幅器單片電路

無效

• 申請號: 201010254151.1
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN101938259A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 陳新宇;蔣東銘;劉軍霞
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H03G11/02
• 分類號: H03G11/02
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.微波大功率，低限幅電平的砷化鎵PIN管限幅器單片電路，其特征是采用3級結構設計，限幅器單片電路第1級采用6個砷化鎵PIN二極管的對管結構，其中3個砷化鎵PIN二極管陰陽極相串聯，陽極連接微波信號傳輸線，陰極連接地，另3個砷化鎵PIN二極管陰陽極相串聯，陰極連接微波信號傳輸線，陽極連接地；第1級的6個砷化鎵PIN二極管，大小相同，結構相同；微波信號通過第1級時，當信號電壓幅度小于砷化鎵PIN二極管的開啟電壓，砷化鎵PIN二極管不工作，接地的并聯支路等效于一個并聯電容，微波信號通過；當信號電壓幅度大于砷化鎵PIN二極管的開啟電壓，砷化鎵PIN二極管導通，接地的并聯支路等效于一個并聯小電阻，微波信號通過電阻到地，大大減小了輸出的信號功率；限幅器單片電路的第2級和第3級采用相同的二極管的對管結構，其中1個砷化鎵PIN二極管陽極連接微波信號傳輸線，陰極連接地；另1個砷化鎵PIN二極管陰極連接微波信號傳輸線，陽極連接地，當微波信號通過第2級和第3級，其工作原理同上，用于消除功率尖峰，進一步降低限幅電平。

2.根據權利要求1所述的微波大功率，低限幅電平的砷化鎵PIN管限幅器單片電路，其特征是限幅器單片電路的設計采用LC的濾波器結構，并聯的二極管的結電容代替LC的濾波器結構中的并聯電容，電感利用高阻的微帶線替代。