[發明專利]高頻加熱裝置的冷卻裝置有效
| 申請號: | 201010253906.6 | 申請日: | 2010-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN102242244A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 渡邊弘子;巳之上潤二;宇田川彰 | 申請(專利權)人: | 富士電子工業株式會社 |
| 主分類號: | C21D1/10 | 分類號: | C21D1/10;C21D1/42 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高頻 加熱 裝置 冷卻 | ||
1.一種具有加熱導體和冷卻裝置的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
在實施淬火時,冷卻裝置沿長條狀的被加熱物的長度方向與加熱導體相鄰配置,冷卻裝置與加熱導體一起在被加熱物的長度方向相對于被加熱物進行相對移動,
所述冷卻裝置包括具有多種冷卻液噴射模式的冷卻液噴射部,
冷卻液噴射模式至少包括強烈地噴射冷卻液對被加熱物進行急冷的第一模式、較弱地噴射冷卻液對被加熱物進行慢冷的第二模式。
2.如權利要求1所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
第一模式為將升溫到淬火溫度的被加熱物急冷到規定溫度區域的噴射模式,
第二模式為將利用第一模式冷卻到規定溫度的被加熱物進一步慢冷到低溫度區域的噴射模式。
3.如權利要求2所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
利用第一模式被冷卻到的規定溫度為攝氏500℃附近的溫度。
4.如權利要求1~3中任一項所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
冷卻液噴射部具有第一模式用的噴射噴嘴和第二模式用的噴射噴嘴,
第一模式用的噴射噴嘴配置為比第二模式用的噴射噴嘴更接近對被加熱物進行感應加熱的加熱導體。
5.如權利要求1~3中任一項所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于,包括:
阻止冷卻液向加熱導體側飛散的遮蔽部件。
6.如權利要求1~3中任一項所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
高頻加熱裝置對以水平狀態被支承的長條狀的被加熱物進行淬火,
所述冷卻裝置具有容納被加熱物的因被加熱而升高了溫度的部位的冷卻區域、向所述冷卻區域供給冷卻液的冷卻液供給機構、阻止冷卻液向加熱裝置側飛散的遮蔽部件,
被加熱物在冷卻區域能夠浸漬在冷卻液中。
7.一種具有加熱導體和冷卻裝置的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
冷卻裝置沿以水平狀態被支承的長條狀的被加熱物的長度方向與加熱導體相鄰配置,加熱導體對被加熱物進行感應加熱,且冷卻裝置與加熱導體一起在被加熱物的長度方向相對于被加熱物進行相對移動,
所述冷卻裝置具有容納被加熱物的因被加熱而升高了溫度的部位的冷卻區域、向所述冷卻區域供給冷卻液的冷卻液供給機構、阻止冷卻液向加熱機構側飛散的遮蔽部件,
被加熱物在冷卻區域被浸漬于冷卻液中。
8.如權利要求7所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
冷卻液供給機構在冷卻區域內向著被加熱物噴射冷卻液。
9.如權利要求8所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
具備多個冷卻液供給機構,所述多個冷卻液供給機構從接近加熱導體的一側向遠離加熱導體的一側按順序配置,配置于接近加熱導體的一側的冷卻液供給機構強烈地噴射冷卻液,配置于遠離加熱導體的一側的冷卻液供給機構較弱地噴射冷卻液。
10.如權利要求7所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
所述冷卻區域為槽,在所述槽內設置有兩個能夠將被加熱物的被加熱過的部位配置于槽內、且使同一被加熱物同時貫通的貫通部,
冷卻液供給機構使槽內的液位上升,并且向著槽內的被加熱物噴射冷卻液。
11.如權利要求7~10中任一項所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
在冷卻區域具有冷卻區域內的冷卻液容易從冷卻區域內流出的流出結構,
所述流出結構設置于冷卻區域中未配置加熱導體的一側。
12.如權利要求10所述的高頻加熱裝置的冷卻裝置,其特征在于:
配置有加熱導體的一側的槽的側壁的高度比其他側壁的高度高。
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