[發明專利]金屬刻蝕方法

有效

• 申請號: 201010253806.3
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102376567A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/60
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 謝安昆;宋志強

1.一種金屬刻蝕方法，該方法包括：

提供一基底，在基底上沉積金屬層后，在金屬層表面依次形成第一材料層、第二材料層和光阻膠PR，其中，第一材料層具有絕緣性；

對PR進行曝光、顯影，形成光刻圖案，并按照光刻圖案對第二材料層進行刻蝕，然后去除光刻圖案；

以刻蝕后的第二材料層作為掩膜，對第一材料層進行刻蝕；

以刻蝕后的第一材料層和第二材料層作為掩膜，對金屬層進行刻蝕，然后依次去除刻蝕后的第二材料層和第一材料層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層為鋁金屬層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料層為聚酰亞胺、先進制程材料或有機底部抗反射涂層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第一材料層的上表面與金屬層上表面的距離為1000埃至4000埃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料層為絕緣材料或金屬。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二材料層為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、氮化鉭、鈦或鉭。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，第二材料層的上表面與第一材料層上表面的距離為400埃至1000埃。