[發明專利]半導體器件的制造方法以及半導體器件

有效

• 申請號: 201010253727.2
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102024724A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 高田泰紀;住友芳;堀部裕史;新川秀之
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/607
• 分類號: H01L21/607;H01L23/49
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)準備引線框架的步驟，該引線框架具有用于安裝半導體芯片的芯片安裝部和配置在上述芯片安裝部的周圍的多條引線；

(b)在上述引線框架的上述芯片安裝部上安裝上述半導體芯片的步驟；以及

(c)在焊針的引導下用導線連接上述半導體芯片的電極焊盤和與上述電極焊盤對應的上述引線的步驟，

上述(c)步驟中包括高度控制步驟，該高度控制步驟是在將上述導線連接在上述引線上時，在從上述導線接觸上述引線的第一地點至上述焊針接觸上述引線的第二地點之間以上述焊針階段性地按壓上述導線的方式來控制上述焊針的高度的步驟。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述(c)步驟的上述高度控制步驟中，監視上述焊針的前端部的高度，當上述焊針的下降速度比設定值大時，減小從上述焊針對上述導線施加的載荷的大小，當上述焊針的下降速度比上述設定值小時，增大從上述焊針對上述導線施加的載荷的大小。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述導線是銅線。

4.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述(c)步驟包括在上述高度控制步驟之后從上述焊針對上述導線施加載荷的載荷控制步驟。

5.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述(c)步驟中對上述導線施加超聲波。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述高度控制步驟中的上述焊針的高度方向的移動量與上述導線的直徑相同。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述高度控制步驟中的上述焊針的水平方向的移動量與上述導線的直徑相同。

8.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述載荷控制步驟中，上述焊針不在水平方向上移動而對上述導線施加載荷。

9.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)準備布線襯底的步驟，該布線襯底具有用于安裝半導體芯片的芯片安裝部和配置在上述芯片安裝部的周圍的多條接合引線；

(b)在上述布線襯底的上述芯片安裝部上安裝上述半導體芯片的步驟；以及

(c)在焊針的引導下用導線連接上述半導體芯片的電極焊盤和與上述電極焊盤對應的上述接合引線的步驟，

上述(c)步驟中包括高度控制步驟，該高度控制步驟是在將上述導線連接在上述接合引線上時，在從上述導線接觸上述接合引線的第一地點至上述焊針接觸上述接合引線的第二地點之間以上述焊針階段性地按壓上述導線的方式來控制上述焊針的高度的步驟。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述(c)步驟的上述高度控制步驟中，監視上述焊針的前端部的高度，當上述焊針的下降速度比設定值大時，減小從上述焊針對上述導線施加的載荷的大小，當上述焊針的下降速度比上述設定值小時，增大從上述焊針對上述導線施加的載荷的大小。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述導線是銅線。

12.根據權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

上述(c)步驟中包括在上述高度控制步驟之后從上述焊針對上述導線施加載荷的載荷控制步驟。