[發明專利]AlGaInP發光二極管的制備方法在審
| 申請號： | 201010253677.8 | 申請日： | 2010-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN102376827A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 肖志國;高百卉;常遠;高本良;武勝利;王力明;陳向東 | 申請（專利權）人： | 大連美明外延片科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
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| 地址： | 116025 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | algainp 發光二極管 制備 方法 | ||
1.AlGaInP發光二極管的制備方法，其特征在于將發光二極管芯片半切后用腐蝕方法制成，工藝步驟為：
(1)將發光二極管芯片半切，半切深度40-60um；
(2)將整片芯片放置在2寸的真空吸盤上，開啟真空；
(3)向漏斗里倒入腐蝕液，使腐蝕液均勻的平鋪在芯片表面，對芯片進行腐蝕；
(4)20～120秒后開啟勻速旋轉設備，將腐蝕液甩掉，然后沖水；
(5)用氮氣槍吹干。
所述腐蝕液為氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液或次氯酸鈉腐蝕液；氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液中氨水、雙氧水與無離子水的體積配比為1∶2～5∶1；次氯酸鈉腐蝕液中次氯酸鈉溶液與水的體積配比為1∶15～20；
其中：氨水濃度為28～30％；雙氧水的濃度為30～32％；次氯酸鈉溶液濃度為5～7％。
2.根據權利要求1所述AlGaInP發光二極管的制備方法，其特征在于進行兩次腐蝕，即在工藝步驟(4)后再重復步驟(3)和(4)一次，而后進行步驟(5)的氮氣槍吹干。
3.根據權利要求2所述AlGaInP發光二極管的制備方法，其特征在于進行兩次腐蝕中先使用氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液進行腐蝕；后用次氯酸鈉腐蝕液進行腐蝕。
4.根據權利要求1、2或3所述AlGaInP發光二極管的制備方法，其特征在于用氨水-雙氧水-無離子水腐蝕液進行腐蝕時，腐蝕時間為60～120秒。
5.根據權利要求1、2或3所述AlGaInP發光二極管的制備方法，其特征在于用次氯酸鈉腐蝕液進行腐蝕時，腐蝕時間為25～30秒。
6.根據權利要求1、2或3所述AlGaInP發光二極管的制備方法，其特征在于次氯酸鈉腐蝕液配制時溫度為50℃。
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