[發(fā)明專利]載置臺機構(gòu)和等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010253531.3 | 申請日: | 2009-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN101908459A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 古屋敦城;東條利洋 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/20 | 分類號: | H01J37/20;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;朱弋 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 載置臺 機構(gòu) 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種載置臺機構(gòu),設(shè)置在能夠被真空排氣的處理容器內(nèi),載置利用通過高頻電力產(chǎn)生的等離子體進行規(guī)定的等離子體處理的被處理體,該載置臺機構(gòu)的特征在于,包括:
用于載置所述被處理體的、由導電部件構(gòu)成的載置臺;
配置在所述載置臺的上表面、為了吸附所述被處理體而在內(nèi)部設(shè)置有吸盤電極的靜電吸盤;
為了施加產(chǎn)生靜電力的直流電壓而經(jīng)由供電線連接在所述吸盤電極上的直流高壓電源,在該供電線的中途設(shè)置有用于阻止高頻電力進入的濾波部;
插設(shè)在所述供電線的中途、在吸附所述被處理體時被閉合的吸盤用開關(guān)部;
為了檢測在所述等離子體處理時施加在所述載置臺上的直流成分而被連接在所述載置臺上的直流成分檢測電路;和
控制所述吸盤用開關(guān)部的開關(guān)控制部,
所述濾波部不包括電阻元件而由電容元件和感應(yīng)元件形成。
2.如權(quán)利要求1所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述直流高壓電源能夠施加能夠被切換的多種直流電壓,
還包括:
設(shè)置在所述供電線的中途、用于監(jiān)視所述吸盤電極側(cè)的電位的電位監(jiān)視部;和
電源控制部,對所述直流電源進行控制,使得在所述吸盤用開關(guān)部被閉合時施加所述多種直流電壓中的電壓高的第一直流電壓,并且在所述電位監(jiān)視部的檢測值為規(guī)定的值時切換為電壓低的第二直流電壓進行施加。
3.如權(quán)利要求1所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述直流高壓電源能夠施加能夠切換的多種直流電壓,
還包括控制所述直流高壓電源的電源控制部,所述電源控制部進行控制,使得在所述吸盤用開關(guān)部被閉合時,最初施加所述多種直流電壓中的電壓高的第一直流電壓,在經(jīng)過了規(guī)定的時間時切換為電壓低的第二電壓進行施加。
4.如權(quán)利要求3所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述規(guī)定的時間是,開始向所述吸盤電極施加所述直流電壓之后至所述吸盤電極的電位達到額定電壓為止的期間以下的長度。
5.如權(quán)利要求2所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述第一直流電壓被設(shè)定為比所述吸盤電極的額定電壓高,所述第二直流電壓被設(shè)定為所述額定電壓。
6.如權(quán)利要求2所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述直流高壓電源的輸出電壓被做成可變,使得能夠輸出所述第一直流電壓和所述第二直流電壓。
7.如權(quán)利要求2所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述直流高壓電源具有輸出所述第一直流電壓的第一電源部和輸出所述第二直流電壓的第二電源部。
8.如權(quán)利要求1所述的載置臺機構(gòu),其特征在于:
所述被處理體是絕緣物。
9.一種等離子體處理裝置,對被處理體進行規(guī)定的等離子體處理,其特征在于,包括:
能夠被真空排氣的處理容器;
用于向所述處理容器內(nèi)導入必要的氣體的氣體導入機構(gòu);
對所述處理容器內(nèi)進行真空排氣的排氣機構(gòu);和
用于在所述處理容器內(nèi)載置所述被處理體的、權(quán)利要求1~8所述的載置臺機構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述氣體導入機構(gòu)包括噴淋頭部,由該噴淋頭部和所述載置臺機構(gòu)的載置臺形成平行平板型的上部電極和下部電極。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述載置臺上連接有高頻電源。
12.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述噴淋頭部連接有第二高頻電源。
13.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述被處理體是半導體基板或絕緣物基板。
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