[發(fā)明專利]一種高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑及其制法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010252624.4 | 申請日: | 2010-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN101906081A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉方政 | 申請(專利權(quán))人: | 劉方政 |
| 主分類號: | C07D277/78 | 分類號: | C07D277/78 |
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| 地址: | 276421 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 熔點(diǎn) 硫化 噻唑 及其 制法 | ||
1.一種高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑,其特征是,所述二硫化二苯并噻唑中含有硝酸根和/或異丙醇,其初熔點(diǎn)≥178℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑,其特征是,硝酸根含量為2-50mg/Kg。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑,其特征是,硝酸根含量為2-20mg/Kg。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑,其特征是,異丙醇含量為1-20mg/Kg。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑,其特征是,所述二硫化二苯并噻唑中灰分≤0.1%,游離二巰基苯并噻唑≤5ppm,二硫化二苯并噻唑含量≥99%。
6.一種權(quán)利要求1的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑的制法,其特征是,包括采用稀硝酸進(jìn)行酸化的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑的制法,其特征是,所述酸化步驟是采用重量濃度為6-12%的稀硝酸將過程液酸化至pH為6-7。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑的制法,其特征是,包括采用異丙醇為溶劑,在氧化劑存在的條件下對二硫化二苯并噻唑進(jìn)行氧化的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑的制法,其特征是,所述氧化劑是雙氧水。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高熔點(diǎn)二硫化二苯并噻唑的制法,其特征是,依次包括二巰基苯并噻唑溶解、酸化、氧化步驟
1)所述溶解是將二巰基苯并噻唑溶解于過量NaOH溶液,加活性炭,并在65-90℃壓濾,得濾液;
2)所述酸化是采用8-12%的稀硝酸將步驟1)的濾液pH調(diào)節(jié)為6-7,酸化后離心得二巰基苯并噻唑鈉鹽;
3)所述氧化是將二巰基苯并噻唑鈉鹽氧化為二硫化二苯并噻唑,氧化劑是過量雙氧水和異丙醇的混合物,氧化溫度25-50℃,氧化時(shí)間90-100min。
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