[發明專利]觸控面板線路單邊外擴的方法

無效

• 申請號: 201010252127.4
• 申請日: 2010-08-13
• 公開（公告）號: CN101907946A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 陳棟南
• 申請（專利權）人: 牧東光電(蘇州)有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;H05K3/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種觸控面板線路單邊外擴的方法，屬于觸控面板制作技術領域。

背景技術

在加工觸控面板過程中，很容易出現金屬線路電極偏離導電區域端的現象。本發明通過采用光阻工藝可以對觸控面板的不同深度層面進行光阻蝕刻得到相應的圖案。比如，透明導電材料上直接電鍍金屬導電材料，在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；此操作方法可控性強，工序流程簡單，可以降低制造成本。

對透明導電材料加工時，使用光阻技術對透明導電材料蝕刻形成網格圖案非導電區域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環保。電鍍工藝與光阻工藝的有機結合，避免了用復雜的貼合工序來加工觸控面板，從而有效降低觸控面板的厚度和重量，提高透光度和觸控敏感度。

發明內容

技術問題：本發明通過直接在透明導電材料上電鍍金屬導電材料，金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，消除金屬線路電極偏離導電區域端的現象。其中，光阻膜相對于金屬走線單邊外擴，保證金屬走線的完整性利于電信號傳輸。本發明使用光阻技術對透明導電材料蝕刻得到網格圖案非導電區域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環保。

技術方案：本發明公開一種觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵干燥條件下進行；

步驟一：在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；

步驟二：在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；

步驟三：先在金屬走線上貼光阻膜，其中，金屬走線寬度小于光阻膜寬度；然后，曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻，形成感應線和網格圖案非導電區域；

步驟四：用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。

上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度范圍值在4.1MOL/L到4.5MOL/L之間；步驟二中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度值是1MOL/L。步驟三中網格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0.35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟三中光阻膜的寬度相對于金屬走線單邊外擴5微米到10微米。所述光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間。蝕刻反應時間為30秒鐘到60秒鐘。金屬導電材料是銅；步驟二中金屬走線線寬是50微米；透明導電材料是氧化銦錫。步驟四中透明光學膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。最后，各線路圖案成形后用光阻劑清除殘余光阻膜，提高產品外觀品質。

有益效果：本發明公開了一種觸控面板線路單邊外擴的方法，通過采用光阻工藝可以對觸控面板的不同深度層面進行光阻蝕刻得到相應的圖案，使用光阻蝕刻加工透明導電材料形成網格圖案非導電區域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環保；透明導電材料上直接電鍍金屬導電材料，在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線，避免金屬線路電極偏離導電區域端的現象。光阻膜的寬度相對于金屬走線的單邊外擴5微米到10微米，能夠使金屬走線完好無損，有利于電信號傳輸。本發明操作可控性強，工序流程簡單，可以降低制造成本。

附圖說明：

圖1是本發明的局部結構圖案示意框圖。

圖2是本發明的局部網格圖案非導電區域示意框圖。

圖3是本發明的制作流程示意框圖。

具體實施方式

下面是本發明的具體實施例來進一步描述：

圖3所示，本發明公開一種觸控面板線路單邊外擴的方法，包括如下步驟在無塵干燥條件下進行；

步驟一：在透明導電材料表面電鍍金屬導電材料；

步驟二：在金屬導電材料上貼光阻膜，曝光顯影蝕刻形成金屬走線；在室溫狀態下，用硫酸雙氧水混合溶液蝕刻金屬導電材料得到金屬走線；

步驟三：先在金屬走線上貼光阻膜，其中，金屬走線寬度小于光阻膜寬度；然后，曝光顯影蝕刻透明導電材料；在40攝氏度溫度下，用鹽酸對透明導電材料蝕刻，形成感應線和網格圖案非導電區域；

步驟四：用透明光學膠將銘板層貼合在金屬走線和透明導電材料上。

上述步驟三中鹽酸的摩爾濃度范圍值在4.1MOL/L到4.5MOL/L之間；步驟二中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度值是1MOL/L。步驟三中網格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0.35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟三中光阻膜的寬度比金屬走線的單邊外擴5微米到10微米。所述光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間。蝕刻反應時間為30秒鐘到60秒鐘。金屬導電材料是銅；透明導電材料是氧化銦錫。步驟四中透明光學膠的厚度范圍值在50微米到100微米之間。