[發明專利]一種SOINMOS總劑量輻照建模方法有效
| 申請號： | 201010251985.7 | 申請日： | 2010-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN102375896A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 卜建輝;畢津順;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人： | 王建國 |
| 地址： | 100028 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 soinmos 劑量 輻照 建模 方法 | ||
1.一種SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述方法包括：
獲取SOI?NMOS輻照前模型參數，并在所述模型參數中加入與總劑量相關的參數，形成含有未知參數的SOI?NMOS總劑量輻照模型；
獲取所述SOI?NMOS總劑量輻照模型中未知參數的數值，形成最終的總劑量輻照模型。
2.如權利要求1所述的SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述獲取SOI?NMOS輻照前模型參數的步驟具體包括：
對SOI?NMOS進行輻照前數據的測量；
使用提參軟件在得到的輻照前數據中進行參數提取，得到SOI?NMOS輻照前模型參數。
3.如權利要求2所述的SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述使用提參軟件在得到的輻照前數據中進行參數提取的步驟具體包括：
選擇一個標準SOI模型；
導入測量得到的輻照前數據；
提取出輻照前模型參數。
4.如權利要求3所述的SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述輻照前模型參數包括體偏為0V時的閾值電壓、一級體效應系數、二級體效應系數、遷移率、一級遷移率退化系數和二級遷移率退化系數。
5.如權利要求1所述的SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述在所述模型參數中加入與總劑量相關的參數的步驟具體為：在所述模型參數的基礎上以子電路的形式加入相關參數隨SOI?NMOS總劑量輻照變化的函數。
6.如權利要求5所述的SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述函數包括：閾值電壓、遷移率參數在不同體偏下隨SOI?NMOS總劑量輻照變化的函數，以及漏電流在不同體偏下隨SOI?NMOS總劑量輻照的變化函數。
7.如權利要求1所述的SOI?NMOS總劑量輻照建模方法，其特征在于，所述獲取所述SOI?NMOS總劑量輻照模型中未知參數的數值，形成最終的總劑量輻照模型的步驟具體包括：
對所述SOI?NMOS進行總劑量輻照；
對所述SOI?NMOS進行輻照后數據的測量；
使用提參軟件在得到的輻照后數據中進行參數提取，得到所述總劑量輻照模型中的未知參數值，從而形成最終的總劑量輻照模型。
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