[發明專利]半導體元件用外延基板、肖特基接合結構以及肖特基接合結構的漏電流抑制方法有效
| 申請號： | 201010251699.0 | 申請日： | 2010-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN102024845A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發明（設計）人： | 三好実人;市村干也;角谷茂明;杉山智彥;倉岡義孝;田中光浩 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/12 | 分類號： | H01L29/12;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人： | 鐘守期;劉文君 |
| 地址： | 日本愛知*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 外延 肖特基 接合 結構 以及 漏電 抑制 方法 | ||
1.一種半導體元件用外延基板，其由III族氮化物層群以(0001)結晶面相對于基板面大致平行的方式在基底基板之上積層形成，
其特征在于，具有
由組成為Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物構成的溝道層和
由組成為Inx2Aly2N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物構成的勢壘層，
上述第二III族氮化物是短程有序度參數α滿足0＜α＜1范圍的短程有序混晶。
2.權利要求1所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，上述第二III族氮化物是短程有序度參數α滿足0.4＜α＜1范圍的短程有序混晶。
3.權利要求1或2所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，上述第二III族氮化物的帶隙比上述第一III族氮化物的帶隙更大。
4.權利要求1至3中任一項所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，上述第一III族氮化物為Aly1Gaz1N(y1+z1＝1，z1＞0)。
5.權利要求4所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，上述第一III族氮化物為GaN。
6.權利要求1至5中任一項所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，上述第二III族氮化物為Inx2Aly2N(x2+y2＝1，0.14≤x2≤0.22)。
7.權利要求1至6中任一項所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，在上述溝道層與上述勢壘層之間還具有隔離層，所述隔離層由至少含有Al、組成為Inx3Aly3Gaz3N(x3+y3+z3＝1)的第三III族氮化物所構成，所述第三III族氮化物具有比上述第二III族氮化物大的帶隙。
8.權利要求7所述的半導體元件用外延基板，其特征在于，上述第三III族氮化物是AlN。
9.一種半導體元件中的肖特基接合結構，其特征在于，在權利要求1至8中任一項所述的外延基板的勢壘層之上形成有金屬電極。
10.一種半導體元件中的III族氮化物層與金屬電極的肖特基接合結構，其特征在于，上述III族氮化物層是含有III族元素In和Al、組成為InxAlyN(x+y＝1，x＞0，y＞0)的III族氮化物，由短程有序度參數α滿足0＜α＜1范圍的短程有序混晶構成。
11.一種半導體元件中的III族氮化物層與金屬電極的肖特基接合結構的漏電流抑制方法，其特征在于，上述III族氮化物層形成為含有III族元素In和Al、短程有序度參數α滿足0＜α＜1范圍的短程有序混晶。
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