[發明專利]提高外延填充和CMP研磨后光刻標記信號的方法

無效

• 申請號: 201010251572.9
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102376531A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 陳福成;闞歡
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種提高外延填充和CMP研磨后光刻標記信號的方法，其特征在于，在采用外延工藝填充溝槽形成外延層之后，CMP工藝研磨所述外延層之前，在所述外延層上定義出一光刻標記的位置的步驟，而后依次刻蝕所述外延層、阻擋層和硅襯底形成增加的光刻標記，在下一個層次的光刻中，采用所述增加的光刻標記進行光刻對準及套刻。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述增加的光刻標記刻蝕至硅襯底的深度為10埃至100微米。

3.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述增加的光刻標記的位置定義時，與零層光刻標記制備時采用相同的光刻掩模板。

4.按照權利要求3所述的方法，其特征在于：在零層光刻標記制備時，只制備部分的曝光單元，用于零層之后光刻層次的光刻對準和套刻；而在增加的光刻標記制備時，采用相同的光刻掩模板制備其余的曝光單元，用作其后光刻層次的光刻對準和套刻。

5.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻擋層為硅氧化合物、硅氮化合物和硅氮氧化合物中的一種。