[發明專利]一種基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構

有效

• 申請號: 201010251511.2
• 申請日: 2010-08-11
• 公開（公告）號: CN101963736A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 張冶金;鄭婉華;渠紅偉;陳良惠
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G02F1/365
• 分類號: G02F1/365;G02F1/355;G02B6/122
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構，其特征在于，該慢光波導結構采用線缺陷光子晶體結構，包括縱向結構及橫向結構，縱向結構為空氣橋多層結構，從頂層到底層依次為空氣層/半導體材料層/空氣層/襯底材料層，橫向結構采用三角晶格結構，周期為P，半徑為R，通過去掉一行孔形成波導。

2.根據權利要求1所述的基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構，其特征在于，該慢光波導結構通過調整線缺陷臨近孔的半徑及波導的寬度來改變慢光區域帶寬及中心波長位置。

3.根據權利要求2所述的基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構，其特征在于，所述調整線缺陷臨近孔的半徑及波導的寬度來改變慢光區域帶寬及中心波長位置，包括：

當臨近孔半徑變化時，慢光工作波長位置及范圍都將發生變化；當波導臨近第一排孔半徑變小時，慢光工作范圍會向長波方向移動，帶寬也將逐漸增大，但帶寬增加到一定程度，就不是單模了；當波導寬度縮小時，慢光工作區域會向短波方向移動，工作帶寬也將發生變化。

4.根據權利要求1所述的基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構，其特征在于，所述縱向結構中的半導體材料層采用硅或磷化銦材料。

5.根據權利要求1所述的基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構，其特征在于，所述縱向結構中的半導體材料層具有光子晶體波導，該半導體材料層厚度為250至300納米。

6.根據權利要求1所述的基于光子晶體空氣橋結構的慢光波導結構，其特征在于，所述橫向結構采用的三角晶格結構，其周期P為380至420納米，孔半徑R為0.31P，從而使其工作于1550納米附近的通信波段。