[發明專利]氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法有效
| 申請號： | 201010251510.8 | 申請日： | 2010-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN101974772A | 公開（公告）日： | 2011-02-16 |
| 發明（設計）人： | 汪煉成;郭恩卿;劉志強;伊曉燕;王國宏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C25D5/10 | 分類號： | C25D5/10;C25D5/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 垂直 結構 發光二極管 轉移 襯底 二次 電鍍 方法 | ||
1.一種氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，包括：
步驟1：選擇一外延結構，該外延結構包括藍寶石襯底和氮化鎵LED層；
步驟2：在氮化鎵LED層上采用電鍍方法制作一次電鍍層；
步驟3：對一次電鍍層進行減薄拋光處理，使其表面光亮平整；
步驟4：用激光刻劃方法在一次電鍍層的表面上制作激光刻劃圖形，作為光刻對準標記；
步驟5：運用光刻方法，通過前烘，勻膠，曝光，顯影，堅膜，在一次電鍍層上形成光刻膠圖形，該光刻膠圖形覆蓋一次電鍍層周邊部分面積；
步驟6：繼續電鍍，在一次電鍍層和光刻膠圖形上制作二次電鍍層；
步驟7：剝離光刻膠圖形的光刻膠，裸露出光刻膠圖形下的一次電鍍層，該一次電鍍層和二次電鍍層構成氮化鎵基垂直結構發光二極管的轉移襯底；
步驟8：清洗吹干，完成垂直結構發光二極管轉移襯底的制作。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中轉移襯底的材料為銅、銅-鎢合金或鎳。
3.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中制作一次電鍍層的電鍍電流為0.1-20A，電鍍時間為1-5h，電鍍液的成分為CuSO4、H2SO4、NaCl、H2O和粘結劑。
4.根據權利要求3所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中CuSO4為75g/L、H2SO4為100ml/L、NaCl為250mg/L和粘結劑為50mg/L，其余為H2O。
5.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中所述的激光刻劃圖形包括單十字或雙十字。
6.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中形成光刻膠圖形的光刻膠種類包括正膠、負膠或反轉膠。
7.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中制作二次電鍍層的電鍍電流大小為0.1-20A，電鍍時間為1-5h，電鍍液成分為CuSO4、H2SO4、NaCl、H2O、致密劑、光亮劑和鈍化劑。
8.根據權利要求7所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的二次電鍍方法，其中CuSO4為75g/L、H2SO4為100ml/L、NaCl為250mg/L和粘結劑為50mg/L，其余為H2O。
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