[發明專利]氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法有效
| 申請號： | 201010251509.5 | 申請日： | 2010-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN101937951A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 汪煉成;郭恩卿;劉志強;伊曉燕;王國宏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 垂直 結構 發光二極管 轉移 襯底 腐蝕 方法 | ||
1.一種氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法，包括：
步驟1：選擇一外延結構，該外延結構包括藍寶石襯底和氮化鎵LED層；
步驟2：在氮化鎵LED層上采用電鍍或鍵合的方法制作一轉移襯底；
步驟3：減薄轉移襯底，然后拋光；
步驟4：用激光刻劃方法在轉移襯底的表面上刻劃圖形，作為光刻對準標記；
步驟5：在作好光刻對準標記的轉移襯底上采用光刻方法，通過前烘，勻膠，曝光，顯影，堅膜，在轉移襯底上面的中間形成光刻膠圖形，該光刻膠圖形的面積小于轉移襯底的面積；
步驟6：選擇腐蝕液腐蝕掉未被光刻膠圖形覆蓋的轉移襯底，使轉移襯底四周形成臺面；
步驟7：剝離光刻膠，清洗吹干，完成轉移襯底的腐蝕。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法，其中轉移襯底的材料為銅、銅-鎢合金、鎳或硅。
3.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法，其中的刻劃圖形為單十字或雙十字。
4.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法，其中勻膠所使用的光刻膠為正膠、負膠或反轉膠。
5.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法，其中所述的腐蝕液為FeCl3、KOH或HNO3溶液或熔融液。
6.根據權利要求1或5所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管轉移襯底的腐蝕方法，其中所述的腐蝕液的濃度為1mol/L-10mol/L，腐蝕液的溫度為20-100℃，腐蝕時間為5-30min，腐蝕中攪拌的轉速為100-500r/min。
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