[發明專利]氮化鎵基垂直結構發光二極管電極結構的制作方法

無效

• 申請號: 201010251508.0
• 申請日: 2010-08-11
• 公開（公告）號: CN101937957A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 郭恩卿;劉志強;汪煉成;伊曉燕;王莉;王國宏
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種氮化鎵基垂直結構發光二極管電極結構的制作方法，包括如下步驟：

步驟1：取一具有藍寶石襯底的氮化鎵LED外延片，將該具有藍寶石襯底的氮化鎵LED外延片上的外延層的四周刻蝕，形成臺面，該臺面是LED的發光區域；

步驟2：在臺面上的外延層的四周制作側壁絕緣薄膜，在外延層的部分上表面區域制作電極絕緣薄膜；

步驟3：在臺面的整個上表面制作P電極，該P電極覆蓋電極絕緣薄膜、側壁絕緣薄膜和外延層的上表面；

步驟4：然后用鍵合或電鍍的方式，在P電極的上表面制作轉移襯底；

步驟5：采用激光剝離去除外延片的藍寶石襯底；

步驟6：在去除襯底后的外延層的部分表面區域制作N電極，該部分表面區域是電極絕緣薄膜的正上方，完成氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離的制作。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離方法，其中P電極的材料是鎳、銀、鉑、鈀、金或ITO，或鎳、銀、鉑、鈀、金、ITO中的幾種材料的組合。

3.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離方法，其中轉移襯底的材料為銅、銅-鎢合金、鎳或硅。

4.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離方法，其中絕緣薄膜和絕緣薄膜的材料是氧化硅、氮化硅、氧化鋁或絕緣的聚合物。

5.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離方法，其中N電極的材料是Ti、Al、Cr、ITO、Pd或Au，或Ti、Al、Cr、ITO、Pd、Au中的幾種材料的組合。

6.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離方法，其中N電極的圖形與絕緣薄膜的圖形相同或相近，并且能上下相套。

7.根據權利要求1所述的氮化鎵基垂直結構發光二極管芯片隔離方法，其中N電極的圖形面積占臺面總面積的1％至30％。