[發明專利]芯片

有效

• 申請號: 201010250906.0
• 申請日: 2010-08-10
• 公開（公告）號: CN101996954A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 斯文·貝爾貝里希
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.芯片，在所述芯片中，在由半導體材料制成的芯片體(1)的一側上設置有用于產生釬焊連接的層復合體(2)，其中，所述層復合體(2)由多個彼此相疊跟隨的、用物理涂覆法制成的金屬層(3、4、5、6)形成，并且其中，在位于所述層復合體(2)表面上的貴金屬層(6)與所述芯片體(1)之間設置有能被釬焊的釬焊層(5)，

其特征在于，

所述釬焊層(5)具有至少一個通過中斷所述涂覆法而形成的界面(G1、G2)。

2.按照權利要求1所述的芯片，其中，所述層復合體(2)的與所述芯片體(1)接觸的基礎層(3)基本上由鋁形成。

3.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，設置在所述釬焊層(5)與所述基礎層(3)之間的第一中間層(4)基本上由Ti或Cr或者由Ti與W組成的合金形成。

4.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，設置在所述貴金屬層(6)與所述釬焊層(5)之間的第二中間層基本上由Ti形成。

5.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，所述半導體材料基本上由以下材料之一形成：Si、SiC、SiGe、GaAs。

6.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，形成所述釬焊層(5)的晶體的平均晶體尺寸在至少一個垂直地遠離所述界面(G1、G2)指向的方向上首先是增大的。

7.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，形成所述釬焊層(5)的晶體的平均晶體尺寸在從位于與其他金屬層的邊界上的接觸面(K1、K2)朝向所述界面(G1、G2)去的方向上首先是增大的。

8.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，包含在所述釬焊層(5)中的孔隙(P)的頻度在所述界面(G1、G2)的區域內具有最大值。

9.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，所述釬焊層(5)基本上由Ni或者Ni/V合金形成。

10.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，所述釬焊層(5)具有至少兩個由不同金屬制成的層，其中，所述金屬從以下組中選擇：Ni、Ti、W或者Ni/V合金。

11.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，所述釬焊層(5)的厚度為0.7至1.2μm，優選為0.8至1.0μm。

12.按照前述權利要求之一所述的芯片，其中，所述物理涂覆法是PVD法或者濺射法。

13.芯片基板復合體，其中，按照前述權利要求之一所述的芯片借助與所述釬焊層(5)相連的焊料(7)與基板(8)連接。

14.按照權利要求13所述的芯片基板復合體，其中，所述基板(8)是DCB基板，并且所述焊料(7)與設置于所述DCB基板上的銅層(10)接觸。

15.按照權利要求13或者14所述的芯片基板復合體，其中，所述焊料(7)由基本上由Sn和Ag形成的合金制成。