[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010250744.0
• 申請日: 2010-08-10
• 公開（公告）號: CN102237390A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 沈明輝;劉世昌;蔡嘉雄
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體裝置，包含：

一底電極接觸形成于一基底之上；

一介電層形成于該底電極接觸之上；

一加熱元件形成于該介電層中，其中該加熱元件配置于二個氣隙之間，且該氣隙將該加熱元件與該介電層分隔；以及

一相變化元件形成于該加熱元件之上，其中該相變化元件包含一實質上非晶質背材及一有源區，該有源區能在非晶質及結晶相間進行相變化。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該介電層由一氧化硅層及一形成該氧化硅層上的氮化硅層所組成。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述二個氣隙的每一個形成于氧化硅中。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述二個氣隙的每一個的高度大體上等于該加熱元件的高度。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該相變化元件包含一摻雜物，而該摻雜物擇自由硅、氮、及其結合所組成的族群。

6.一種半導體裝置，包含：

一基底；

一底電極接觸形成于該基底之上；

一氧化硅層形成于該底電極接觸之上；

一氮化硅層形成于該氧化硅層之上；

一加熱元件形成于該氧化硅層及該氮化硅層之中；

二個氣隙配置于該氧化硅中，其中該氣隙將該加熱元件與該氧化硅層及氮化硅層分隔，且所述二個氣隙的每一個的高度大體上等于該加熱元件的高度；

一相變化元件形成于該加熱元件之上，其中該相變化元件包含一實質上非晶質背材及一有源區，該有源區能在非晶質及結晶相間進行相變化；以及

一傳導元件形成于該相變化元件之上。

7.一種形成半導體裝置的方法，包含：

提供一具有一介電層形成于其上的基底；

形成一加熱元件于該介電層之中；

形成一氣隙用以將該加熱元件的一側與該介電層相隔；以及

形成一相變化元件于該加熱元件之上，其中該相變化元件包含一實質上非晶質背材及一有源區，該有源區能在非晶質及結晶相間進行相變化。

8.如權利要求7所述的方法，其中形成該氣隙的步驟包含以高密度等離子體沉積法沉積一氧化硅層于一溝槽中，用以將該加熱元件與該介電層相隔。

9.如權利要求7所述的方法，其中形成該相變化元件的步驟包含：

沉積一絶緣層于該加熱元件上；

形成一溝槽于該絶緣層中，其中該溝槽直接位于該加熱元件上；以及

沉積一相變化材料層于該絶緣層上并填入該溝槽中。

10.如權利要求7所述的方法，更包含形成二個氣隙用以將該加熱元件的兩側與該介電層分隔，其中所述二個氣隙的每一個的高度大體上等于該加熱元件的高度。