[發明專利]半導體發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010250596.2
• 申請日: 2010-08-05
• 公開（公告）號: CN102044613A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 丁煥熙;李尚烈;宋俊午;文智炯;崔光基
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/22
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種半導體發光器件，包括：

導電支撐構件；

設置在所述導電支撐構件上的反射層；

設置在所述反射層上并與其接觸的發光結構，所述發光結構包括：第一導電型半導體層、設置在所述第一導電型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第二導電型半導體層；

設置在所述發光結構上的電極；和

沿所述發光結構的底部邊緣設置的溝道層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述反射層與所述發光結構的底表面歐姆接觸并包括反射性金屬。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述溝道層的內側端與所述反射層的外側端接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述反射層延伸為部分位于所述溝道層的底表面之下。

5.根據權利要求4所述的半導體發光器件，其中所述反射層形成于所述溝道層的部分底表面之下，直至小于所述溝道層的寬度的約80％的寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括與所述溝道層的底表面接觸的蓋層。

7.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其中所述反射層延伸為部分位于所述蓋層的底表面之下。

8.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其中所述反射層延伸為位于所述蓋層的整個底表面之下。

9.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其中所述蓋層的內側端形成為與所述溝道層的內側端對應。

10.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其中所述蓋層的內側端與所述發光結構的底表面接觸。

11.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其中所述蓋層由選自Ti、Ni、Pt、Pd、Cu、Al、Ir和Rh中的至少一種形成。

12.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括與所述電極對應的電流阻擋層。

13.根據權利要求12所述的半導體發光器件，其中所述電流阻擋層形成于所述反射層和所述導電支撐構件中之一上。

14.根據權利要求12所述的半導體發光器件，其中所述電流阻擋層由選自ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃和TiO₂中的至少一種形成。

15.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括在所述反射層和所述導電支撐構件之間的粘合層。

16.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述溝道層包括透明氮化物、透明氧化物或透明絕緣材料中的至少一種。

17.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述溝道層由選自ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、IZTO(銦鋅錫氧化物)、IAZO(銦鋁鋅氧化物)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)、IGTO(銦鎵錫氧化物)、AZO(鋁鋅氧化物)、ATO(銻錫氧化物)、GZO(鎵鋅氧化物)、SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃和TiO₂中的至少一種形成。

18.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括沿所述發光結構的外邊緣設置的絕緣層。

19.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括在所述發光結構上形成的粗糙圖案。

20.根據權利要求1所述的半導體發光器件，包括在所述溝道層的頂表面或底表面的至少之一中形成的粗糙圖案。

21.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中粗糙圖案形成于所述溝道層的底表面中，并且所述粗糙圖案形成為具有等于或者小于所述溝道層厚度的厚度。