[發明專利]場氧化層形成方法

有效

• 申請號: 201010250535.6
• 申請日: 2010-08-11
• 公開（公告）號: CN101969027A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 郭國超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，特別是涉及一種場氧化層形成方法。

背景技術

隨著半導體器件的尺寸越來越小，對半導體器件的隔離的要求也越來越高。例如，在制造橫向擴散金屬氧化物晶體管(LDMOS)時，需要在半導體襯底上形成場氧化層(field?oxide)，所述場氧化層用于隔離半導體器件，其厚度通常大于

具體請參考圖1A～1D，其為現有的場氧化層形成方法的各步驟相應結構的剖面示意圖。

如圖1A所示，首先，提供半導體襯底100。

如圖1B所示，然后，在所述半導體襯底100上形成氧化層110。

如圖1C所示，隨后，在所述氧化層110上形成圖案化光阻層120。

如圖1D所示，接著，以所述圖案化光阻層120為掩膜，濕法刻蝕所述氧化層110，以形成場氧化層111，所述場氧化層111與半導體襯底100具有夾角α。所述場氧化層111與半導體襯底100的夾角α對于后續的離子注入工藝有重大的影響，所述夾角α越小，在進行離子注入工藝時，離子的分布更為均勻，使得形成的電場分布更為均勻。

目前，為了減小場氧化層111與半導體襯底100之間的夾角，業界嘗試了多種方法，例如，改變濕法刻蝕的工藝參數(刻蝕時間或刻蝕溫度)，或利用UV固化的方式來處理圖案化光阻，然而，上述方法的效果并不理想，最終形成的夾角仍大于30度。

因此，提供一種可有效減小場氧化層與半導體襯底之間夾角的場氧化層形成方法，是十分必要的。

發明內容

本發明提供一種場氧化層形成方法，可有效減小場氧化層與半導體襯底之間的夾角，提高半導體器件的電性能。

為解決上述技術問題，本發明提供一種場氧化層形成方法，包括：提供半導體襯底；在所述半導體襯底上形成氧化層；在所述氧化層上形成圖案化光阻層；利用去離子水清洗所述半導體襯底；以所述圖案化光阻層為掩膜，濕法刻蝕所述氧化層，以形成場氧化層。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，利用去離子水清洗所述半導體襯底的時間為9～650秒。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，利用低壓化學氣相沉積的方式在所述半導體襯底上形成氧化層。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，所述氧化層的厚度大于

可選的，在所述場氧化層形成方法中，在濕法刻蝕所述氧化層的步驟中，所使用的刻蝕液體為氫氟酸緩沖腐蝕液。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，在濕法刻蝕所述氧化層步驟中，所使用的刻蝕液體為稀釋的氫氟酸。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，濕法刻蝕所述氧化層的時間為10～1500秒。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，濕法刻蝕所述氧化層的步驟之后，還包括：去除所述圖案化光阻層。

可選的，在所述場氧化層形成方法中，利用等離子體灰化工藝去除所述圖案化光阻層。

由于采用了以上技術方案，與現有技術相比，本發明具有以下優點：

本發明在氧化層上形成圖案化光阻層之后，在濕法刻蝕所述氧化層之前，利用去離子水清洗所述半導體襯底，所述去離子水可擴散到所述圖案化光阻層與氧化層之間，降低了圖案化光阻層與氧化層之間的粘貼力，有利于提高刻蝕液體在界面間的擴散速度，使表面的氧化層的刻蝕速度加快，可減小最終形成的場氧化層與半導體襯底之間的夾角，有利于提高半導體器件的電性能。

附圖說明

圖1A～1D為現有場氧化層形成方法的各步驟相應結構的剖面示意圖；

圖2為本發明實施例所提供的場氧化層形成方法的流程圖；

圖3A～3F為本發明實施例所提供的場氧化層形成方法的各步驟相應結構的剖面示意圖。

具體實施方式

本發明的核心思想在于，提供一種場氧化層形成方法，該方法在氧化層上形成圖案化光阻層之后，在濕法刻蝕所述氧化層之前，利用去離子水清洗所述半導體襯底，所述去離子水可擴散到所述圖案化光阻層與氧化層之間，降低了圖案化光阻層與氧化層之間的粘貼力，有利于提高刻蝕液體在界面間的擴散速度，使表面的氧化層的刻蝕速度加快，可減小最終形成的場氧化層與半導體襯底之間的夾角，有利于提高半導體器件的電性能。

請參考圖2，其為本發明實施例所提供的場氧化層形成方法的流程圖，結合該圖，該方法包括以下步驟：

步驟S210，提供半導體襯底；

步驟S220，在所述半導體襯底上形成氧化層；

步驟S230，在所述氧化層上形成圖案化光阻層；

步驟S240，利用去離子水清洗所述半導體襯底；