[發明專利]微電子機械系統微橋結構及其制造方法有效
| 申請號： | 201010250514.4 | 申請日： | 2010-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN101913550A | 公開（公告）日： | 2010-12-15 |
| 發明（設計）人： | 李佳青;康曉旭;袁超;池積光 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B81B3/00 | 分類號： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微電子 機械 系統 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種微電子機械系統微橋結構，其特征在于，包括：
半導體襯底；
金屬層，其間隔設置于所述半導體襯底上；
介質層，設置于所述金屬層之間；
犧牲層，設置于所述金屬層和介質層上，所述犧牲層為非晶硅犧牲層，且為多層復合結構。
2.根據權利要求1所述的微電子機械系統微橋結構，其特征在于，所述犧牲層包括第一犧牲層和其上的第二犧牲層。
3.根據權利要求2所述的微電子機械系統微橋結構，其特征在于，所述第一犧牲層的厚度范圍為100?！?000埃，所述第二犧牲層的厚度范圍為2000?！?0000埃。
4.根據權利要求1所述的微電子機械系統微橋結構，其特征在于，所述金屬層為鋁金屬層，所述介質層為二氧化硅介質層。
5.一種微電子機械系統微橋結構的制造方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供一半導體襯底；
在所述半導體襯底上制作金屬層，并實現其圖形化，同時形成溝槽；
化學氣相沉積介質層，實現溝槽填充；
對所述介質層進行平坦化處理，使其表面與金屬層齊平；
在所述金屬層和介質層上依次沉積第一犧牲層和第二犧牲層。
6.根據權利要求5所述的微電子機械系統微橋結構制造方法，其特征在于，所述金屬層為鋁金屬層，所述介質層為二氧化硅介質層，所述第一犧牲層和第二犧牲層為非晶硅犧牲層。
7.根據權利要求5所述的微電子機械系統微橋結構制造方法，其特征在于，所述化學氣相沉積介質層步驟采用PECVD、HDPCVD、SACVD或APCVD技術。
8.根據權利要求5所述的微電子機械系統微橋結構制造方法，其特征在于，所述平坦化處理采用化學機械研磨，刻蝕或兩者的結合。
9.根據權利要求5所述的微電子機械系統微橋結構制造方法，其特征在于，所述沉積第一犧牲層的處理溫度為320℃～550℃，厚度范圍為100?！?000埃。
10.根據權利要求5所述的微電子機械系統微橋結構制造方法，其特征在于，所述沉積第二犧牲層的處理溫度為200℃～380℃，厚度范圍為2000?！?0000埃。
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