[發明專利]半導體發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010250358.1
• 申請日: 2010-08-05
• 公開（公告）號: CN102044609A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 丁煥熙;李尚烈;宋俊午;崔光基
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/40;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種半導體發光器件，包括：

電極層；

設置在所述電極層上的發光結構，所述發光結構包括：第一導電型半導體層、設置在所述第一導電型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第二導電型半導體層，和

設置在所述發光結構上的電極，其中所述電極包括：

與所述第二導電型半導體層的頂表面接觸的歐姆接觸層；

設置在所述歐姆接觸層上的第一阻擋層；

設置在所述第一阻擋層上的包括銅的導電層；

設置在所述導電層上的第二阻擋層；和

設置在所述第二阻擋層上的接合層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中在所述第二導電型半導體層的頂表面形成有粗糙圖案。

3.根據權利要求2所述的半導體發光器件，其中所述歐姆接觸層形成為對應于所述粗糙圖案。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述歐姆接觸層包括Cr、Cr合金、Al、Al-合金、Ti、Ti-合金、Ag、Ag-合金、Ni或Ni-合金中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述歐姆接觸層由具有反射金屬作為上層的多層結構形成。

6.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一阻擋層由Ni、Ni-合金、Ti或Ti-合金中的至少一種形成。

7.根據權利要求6所述的半導體發光器件，其中所述第一阻擋層形成為約10nm至約500nm的厚度。

8.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述導電層由Cu或Cu-合金形成。

9.根據權利要求8所述的半導體發光器件，其中所述導電層形成為約500nm至約5000nm的厚度。

10.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第二阻擋層由Ni、Ni-合金、Ti或Ti-合金中的至少一種形成。

11.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述接合層為由Au、Al、Cu或Cu-合金形成的單層或多層結構。

12.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述接合層形成為約500nm至約3000nm的厚度。

13.一種半導體發光器件封裝，包括根據權利要求1所述的發光器件。

14.根據權利要求13所述的半導體發光器件封裝，包括：

所述半導體發光器件設置在其中的主體；

與所述半導體發光器件電連接的多個引線電極；和

配置為模制所述半導體發光器件的模制元件。

15.一種半導體發光器件，包括：

電極層；

設置在所述電極層上的發光結構，所述發光結構包括：第一導電型半導體層、設置在所述第一導電型半導體層上的第二導電型半導體層、設置在所述第二導電型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第一導電類型的第三半導體層，和

設置在所述發光結構上的電極，其中所述電極包括：

與所述第三半導體層的頂表面接觸的歐姆接觸層；

設置在所述歐姆接觸層上的第一阻擋層；

設置在第一阻擋層上的包括銅的導電層；

設置在所述導電層上的第二阻擋層；和

設置在所述第二阻擋層上的接合層。

16.根據權利要求15所述的半導體發光器件，其中在所述第三半導體層的頂表面上形成有粗糙圖案。

17.根據權利要求16所述的半導體發光器件，其中所述歐姆接觸層形成為對應于所述粗糙圖案。

18.根據權利要求15所述的半導體發光器件，其中所述歐姆接觸層包括Cr、Cr-合金、Al、Al-合金、Ti、Ti-合金、Ag、Ag-合金、Ni和Ni-合金中的至少一種；所述第一阻擋層由Ni、Ni-合金、Ti或Ti-合金中的至少一種形成為約10nm至約500nm的厚度；所述導電層由Cu或Cu-合金形成為約500nm至約5000nm的厚度；所述第二阻擋層由Ni、Ni-合金、Ti或Ti-合金中的至少一種形成；并且所述接合層為由Au、Al、Cu或Cu-合金中的至少一種形成的單層或多層結構且形成為約500nm至約3000nm的厚度。