[發明專利]硅片單面化學機械拋光方法和裝置

無效

• 申請號: 201010249946.3
• 申請日: 2010-08-11
• 公開（公告）號: CN101934497A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 柳濱;李偉;郭強生;廖垂鑫
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十五研究所
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04
• 代理公司: 石家莊新世紀專利商標事務所有限公司 13100
• 代理人: 張貳群

1.一種硅片單面化學機械拋光方法，包括在初拋光臺和/或精拋光臺進行硅片的粗拋光和/或精拋光，其特征在于根據硅片單面拋光的表面質量要求，由上述的初拋光臺和/或精拋光臺與漂洗臺配合，由漂洗臺再進行硅片的漂洗拋光，以去除在粗拋光和精拋光工藝過程中的殘留拋光液，消除殘留拋光液對硅片拋光質量的影響，提高硅片的拋光質量。

2.根據權利要求1所述的硅片單面化學機械拋光方法，其特征在于所述的漂洗拋光為用去離子水作為介質進行漂洗拋光。

3.一種硅片單面化學機械拋光裝置，主要包括初拋光臺(17)和/或精拋光臺(10)，拋光液供給機構，電氣控制部分，其特征在于設有終拋光臺，即漂洗拋光臺(8)。

4.根據權利要求3所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于漂洗拋光臺(8)具有去離子水供給機構。

5.根據權利要求3所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于初拋光臺和精拋光臺分別獨立設有2路或3路以上拋光液供給機構，具有同時、依次或者它們之間組合的方式供給拋光液的結構。

6.根據權利要求3所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于初拋光臺(17)、精拋光臺(10)或漂洗拋光臺(8)的拋光頭均和拋光主軸自轉、升降及氣吸機構相連，拋光主軸自轉、升降及氣吸機構均裝在可轉動換位的轉塔(19)上。

7.根據權利要求6所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于硅片處理部分設有硅片裝載臺、硅片卸載臺、機械手機構、硅片存儲水槽、硅片掃描，OCL單元和電氣控制。

8.根據權利要求7所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于所述的機械手機構設有硅片轉換臺、2套四維機械手單元，或者為1套六維機械手和末端執行器。

9.根據權利要求7所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于電氣控制部分主要由主機PC(33)、主機系統(34)、拋光頭系統(35)、前端模組系統(36)、拋光液供給站(37)等組成；主機PC(33)是以工業計算機為基礎的設備輸入/輸出、主邏輯控制和與其他控制單元進行網絡通訊的主單元；主機PC(33)通過以太網交換機(41)分別與主機系統(34)、拋光頭系統(35)、前端模組系統(36)、拋光液供給站(37)控制單元連結，進行數據交換和邏輯動作控制；主機系統(34)、拋光頭系統(35)、前端模組系統(36)、拋光液供給站(37)作為四個獨立的控制單元，包括專用控制器或邏輯控制器(PLC)、電源模塊、運動控制單元、電機驅動模塊、通訊模塊和功能擴展模塊電路。

10.根據權利要求9所述的硅片單面化學機械拋光裝置，其特征在于電氣控制部分具有以下主要軟件部分：WindowsXp操作系統作為設備的系統層(83)平臺，具有設備的人機界面應用層(88)、底層邏輯控制以及I/O控制的實現層(87)和包含控制模塊之間的通訊的接口層(86)。