[發明專利]硅基液晶成像器

無效

• 申請號: 201010249264.2
• 申請日: 2010-08-02
• 公開（公告）號: CN101989012A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 河·H·黃
• 申請（專利權）人: 江蘇麗恒電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/133
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種硅基液晶成像器，其特征在于，包括：

襯底基板；

反射偏振電極陣列，形成在所述襯底基板上，所述反射偏振電極陣列包括多個反射偏振電極，每個反射偏振電極的圖案構造為具有彼此平行且規則間隔并電絕緣的縫隙的平面結構；

平面液晶單元，形成在所述反射偏振電極陣列的上方；

透明導電膜層，形成在所述平面液晶單元的上方；

透明面板，置于所述透明導電膜層上且朝向入射光。

2.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：

所述反射偏振電極陣列上覆蓋有第一取向層，且所述透明導電膜層上覆蓋有第二取向層，所述平面液晶單元夾持在所述第一取向層和第二取向層之間。

3.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振電極陣列上沉積有透明保護絕緣覆層，所述平面液晶單元置于所述透明保護絕緣覆層之上。

4.根據權利要求3所述的硅基液晶成像器，其特征在于：形成的所述透明保護絕緣覆層進入各所述反射偏振電極之間的縫隙，各所述反射偏振電極通過透明保護絕緣覆層彼此絕緣。

5.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述硅基液晶成像器還包括驅動電路，所述驅動電路與各反射偏振電極分別連接，為各反射偏振電極分別獨立地提供電荷充電和放電。

6.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振電極陣列還包括多個像素絕緣體，所述像素絕緣體置于各反射偏振電極之間以保持反射偏振電極之間彼此絕緣。

7.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述透明導電膜層由銦錫氧化物制成。

8.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述襯底基板由半導體制成，所述半導體為硅、鍺、鎵和砷中的任意一種或任意組合。

9.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述襯底基板由固態絕緣材料中的任意一種或任意組合制成，所述固態絕緣材料包括玻璃和聚合體。

10.根據權利要求2所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述第一取向層和第二取向層由聚酰亞胺、氧化物、氮化物和碳中的任意一種或任意組合制成。

11.根據權利要求3所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述透明保護絕緣覆層由聚酰亞胺、二氧化硅、氮化硅和碳中的任意一種或任意組合制成。

12.根據權利要求1～11任一所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振電極各自包括多個平行伸長導電元件，所述導電元件彼此電連接且平行于所述平面液晶單元。

13.根據權利要求12所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述伸長導電元件由包括鋁、鈦、銅、鉑、銀和金的反射金屬及其合金中的任意一種或其組合制成。

14.根據權利要求1所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述反射偏振電極分為三組，第一組反射偏振電極構造為具有第一偏振反射光譜，第二組反射偏振電極構造為具有第二偏振反射光譜，第三組反射偏振電極構造為具有第三偏振反射光譜。

15.根據權利要求14所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述第一偏振反射光譜、第二偏振反射光譜和第三偏振反射光譜分別對應于藍色、綠色和紅色的帶通光譜；或，所述第一偏振反射光譜、第二偏振反射光譜和第三偏振反射光譜分別對應于黃色、紅紫色和藍綠色的帶阻光譜。

16.根據權利要求14或15所述的硅基液晶成像器，其特征在于：所述第一組反射偏振電極、第二組反射偏振電極和第三組反射偏振電極在空間上各自獨立地構造為規則交織的平面圖案。