[發(fā)明專利]減少輻射電磁干擾的等離子體顯示裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010249263.8
• 申請日: 2010-08-10
• 公開（公告）號: CN101996566A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 金弘鎮(zhèn);孫永基;鄭宰旭
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G09G3/28
• 分類號: G09G3/28;G09F9/313;H01J9/20;H05K9/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

技術(shù)領(lǐng)域

根據(jù)本發(fā)明的方法和裝置涉及減小電磁干擾(EMI)輻射的等離子體顯示裝置，更具體地，涉及通過底架的結(jié)構(gòu)來減少EMI輻射的等離子體顯示裝置。

背景技術(shù)

平面型顯示裝置已經(jīng)被廣泛地使用，且主要應用于便攜器件，并由于技術(shù)的發(fā)展而在大尺寸顯示裝置領(lǐng)域中日益取代陰極射線管(CRT)顯示器。

在這些平面型顯示裝置中，等離子體顯示面板(下文稱為“PDP”)利用由等離子體發(fā)出的光顯示文本和圖形，該等離子體在氣體放電期間產(chǎn)生。與其它平面型顯示裝置相比，PDP具有高亮度和高發(fā)光效率以及寬視角的優(yōu)點，所以近幾年P(guān)DP被廣泛使用。

但是，PDP的一個缺點是等離子體顯示裝置被驅(qū)動時產(chǎn)生電磁波噪聲，并引起電磁干擾(EMI)。也就是說，由于大約200V的高電壓和2A或更大的均方根(RMS)電流施加到構(gòu)成PDP的電極上，所以引起氣體放電的驅(qū)動波的能量導致該面板的該電極通過天線輻射EMI。

EMI產(chǎn)生電磁波噪聲干擾，該電磁波噪聲干擾使期望的電磁信號的接收受阻并由此導致電子器件的故障。同樣，EMI以電子能量的形式被活體吸收并增高了活體的溫度，從而損壞了活體的組織/功能。

因此，需要一種用于減小在PDP驅(qū)動期間所產(chǎn)生的EMI的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示范性實施方式克服了以上缺點和以上沒有描述的其它缺點。同樣，本發(fā)明不需要克服上述缺點，本發(fā)明的示范性實施方式可以不克服上述的任何問題。

本發(fā)明提供了一種等離子體顯示裝置，其具有用于減少EMI輻射的底架的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的方面，等離子體顯示裝置包括：面板；驅(qū)動電路，驅(qū)動面板；和底架，連接到驅(qū)動電路并具有至少一個狹縫，該至少一個狹縫形成連接到驅(qū)動電路的部分周圍。

至少一個狹縫可以形成使得底架被分為第一區(qū)和第二區(qū)，該第一區(qū)包括驅(qū)動電路連接到的部分，該第二區(qū)不包括驅(qū)動電路連接到的該部分。

至少一個狹縫可以形成為具有在第一區(qū)與第二區(qū)之間的電通路。

由驅(qū)動電路產(chǎn)生的電流可以通過驅(qū)動電路連接到的部分傳輸?shù)降谝粎^(qū)。

可以設置多個狹縫，傳輸?shù)降谝粎^(qū)的電流的一部分通過在多個狹縫之間形成的通路從第一區(qū)傳輸?shù)降诙^(qū)，傳輸?shù)降谝粎^(qū)的剩余電流可以在第一區(qū)中環(huán)繞，從而消減EMI。

消減EMI的程度可以基于每個狹縫的厚度和多個狹縫之間的間隙來確定。

驅(qū)動電路可以包括X電極驅(qū)動電路和Y電極驅(qū)動電路，至少一個狹縫可以包括第一狹縫和第二狹縫，該第一狹縫形成在X電極驅(qū)動電路連接到的部分周圍，該第二狹縫形成在Y電極驅(qū)動電路連接到的部分周圍。

可以設置多個第一狹縫或多個第二狹縫，底架可以形成為具有在多個第一狹縫之間的電通路或在多個第二狹縫之間的電通路。

等離子體顯示裝置可進一步包括：控制器，控制驅(qū)動電路；和隔離IC，電隔離控制器與驅(qū)動電路之間的接地電勢。

驅(qū)動電路和底架可以通過導電材料彼此連接。

根據(jù)本發(fā)明另一方面，等離子體顯示裝置包括：面板；驅(qū)動電路，驅(qū)動面板；和底架，連接到驅(qū)動電路，并形成為使得除了預定區(qū)域之外，驅(qū)動電路連接到的區(qū)域與驅(qū)動電路沒有連接到的區(qū)域彼此分離。

本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點將在詳細描述中闡述，將通過詳細描述而顯而易見，或者可以通過實踐本發(fā)明而習知。

附圖說明

通過參考附圖對本發(fā)明的示范性實施方式進行詳細描述，本發(fā)明的上述和/或其它方面將變得更加明顯，附圖中：

圖1為示出根據(jù)本發(fā)明示范性實施方式的等離子體顯示裝置的側(cè)截面圖；

圖2為示出涂覆有功能材料的上面板的視圖；

圖3為用于參考波長解釋功能材料的作用的視圖；

圖4為示出上面板的制造工藝的視圖；

圖5為示出下面板的制造工藝的視圖；

圖6為涂覆功能材料的工藝的流程圖；

圖7為示出涂覆有功能材料的面板的視圖；

圖8為示出在TSS與底架之間的耦接結(jié)構(gòu)的視圖；

圖9為用于解釋利用襯墊屏蔽EMI的方法的視圖；

圖10為示出根據(jù)本發(fā)明示范性實施方式的底架的視圖；

圖11為用于解釋等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的視圖；

圖12為示出根據(jù)本發(fā)明另一示范性實施方式的底架的視圖；

圖13為示出根據(jù)本發(fā)明又一示范性實施方式的底架的視圖；

圖14為示出根據(jù)本發(fā)明又一示范性實施方式的底架的視圖；

圖15為圖14的底架的透視圖；