[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010249232.2
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN101996893A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: R·A·帕蓋拉
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/485;H01L23/522
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;王忠忠

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供臨時載體；

安裝第一半導體管芯，并且它的有源表面面向所述臨時載體；

在第一半導體管芯和臨時載體上沉積密封劑；

除去臨時載體以暴露密封劑的第一側和第一半導體管芯的有源表面；

在第一半導體管芯的有源表面上形成掩蔽層；

在密封劑的第一側上形成第一互連結構，所述掩蔽層阻擋在第一半導體管芯的有源表面上形成第一互連結構；

除去掩蔽層以在第一半導體管芯的有源表面上形成空腔；以及

在空腔中安裝第二半導體管芯，第二半導體管芯被電連接到第一半導體管芯的有源表面。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括通過第一半導體管芯形成導電直通硅通路。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括在第二半導體管芯上形成屏蔽層。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在與第一半導體管芯的有源表面相對的第一半導體管芯的后表面上形成第二互連結構；以及

將第三半導體管芯安裝到第二互連結構。

5.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供臨時載體；

安裝第一半導體管芯，并且它的有源表面面向所述臨時載體；

在第一半導體管芯和臨時載體上沉積密封劑；

除去臨時載體以暴露密封劑的第一側；

在密封劑的第一側上形成第一互連結構而不覆蓋第一半導體管芯的有源表面；以及

在第一互連結構的各部分之間的第一半導體管芯的有源表面上安裝半導體部件，所述半導體部件被電連接到第一半導體管芯的有源表面。

6.如權利要求5所述的方法，進一步包括：

在第一半導體管芯的有源表面上形成掩蔽層；

在密封劑的第一側上形成第一互連結構，所述掩蔽層阻擋在第一半導體管芯的有源表面上形成第一互連結構；以及

除去掩蔽層以在第一半導體管芯的有源表面上形成空腔。

7.如權利要求5所述的方法，進一步包括：

在所述臨時載體上形成壩墻；

將第一半導體管芯安裝到所述臨時載體以便所述有源表面存在于所述壩墻內；

在第一半導體管芯和臨時載體上沉積密封劑，所述壩墻防止所述密封劑蔓延到第一半導體管芯的有源區域；

除去所述臨時載體；

在第一半導體管芯的有源表面上形成掩蔽層；

在密封劑的第一側上形成第一互連結構，所述掩蔽層阻擋在第一半導體管芯的有源表面上形成第一互連結構；以及

除去掩蔽層以在第一半導體管芯的有源表面上形成空腔。

8.如權利要求5所述的方法，其中所述半導體部件是半導體管芯或分立半導體器件。

9.如權利要求5所述的方法，進一步包括通過第一半導體管芯形成導電直通硅通路。

10.如權利要求5所述的方法，進一步包括將散熱器安裝到第一半導體管芯的有源表面。

11.如權利要求5所述的方法，進一步包括在所述半導體部件的周圍沉積第二密封劑。

12.如權利要求5所述的方法，進一步包括在所述半導體部件上形成屏蔽層。

13.如權利要求5所述的方法，進一步包括將熱沉安裝到與第一半導體管芯的有源表面相對的第一半導體管芯的后表面。

14.如權利要求5所述的方法，進一步包括：

在與第一半導體管芯的有源表面相對的第一半導體管芯的后表面上形成第二互連結構；以及

將第二半導體管芯安裝到第二互連結構。

15.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體管芯；

在第一半導體管芯上沉積密封劑；

在密封劑上形成第一互連結構而不覆蓋第一半導體管芯的有源表面；以及

在第一互連結構的各部分之間的第一半導體管芯的有源表面上安裝半導體部件，所述半導體部件被電連接到第一半導體管芯的有源表面。