[發明專利]在半導體芯片中構造MIM電容器的方法和MIM電容器

有效

• 申請號: 201010248569.1
• 申請日: 2010-08-09
• 公開（公告）號: CN101996864A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 夏為;陳向東;阿基拉·易托
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/92;H01L21/82;H01L27/02
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 蔡曉紅;紀媛媛

1.一種在半導體芯片中構造MIM電容器的方法，其特征在于，包括：

在基板上構造電介質一部以及在所述電介質一部上構造金屬一部，所述金屬一部形成所述MIM電容器的下電極；

在所述金屬一部上構造電介質二部以及在所述電介質二部上構造金屬二部，所述金屬二部的一部分形成所述MIM電容器的上電極；

所述金屬一部包括第一柵極金屬。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬二部包括第二柵極金屬。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一柵極金屬不同于第二柵極金屬。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電介質一部形成于所述基板中的隔離區域上。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

在所述金屬二部上形成多晶硅層；以及

對所述多晶硅層、所述金屬二部以及所述電介質二部進行圖案形成處理以形成MIM電容器堆棧，其中所述MIM電容器堆棧包括覆蓋所述金屬二部的所述一部分的多晶硅部。

6.一種半導體芯片中的MIM電容器，其特征在于，所述MIM電容器包括：

位于基板上的所述MIM電容器的下電極，所述MIM電容器的下電極包括第一柵極金屬；

位于所述MIM電容器的所述下電極上的MIM電容器電介質；

位于所述MIM電容器電介質上的所述MIM電容器的上電極。

7.根據權利要求6所述的MIM電容器，其特征在于，其中所述MIM電容器的上電極包括第二柵極金屬。

8.根據權利要求7所述的MIM電容器，其特征在于，所述第一柵極金屬不同于第二柵極金屬。

9.根據權利要求6所述的MIM電容器，其特征在于，所述MIM電容器的所述下電極位于所述基板中的隔離區域上

10.根據權利要求6所述的MIM電容器，其特征在于，所述MIM電容器進一步包括位于所述MIM電容器的所述上電極上的多晶硅部。