[發(fā)明專利]垂直二極管及其加工方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010248167.1 | 申請(qǐng)日： | 2010-08-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102376771A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 三重野文健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/861 | 分類號(hào)： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 二極管 及其 加工 方法 | ||
1.一種垂直二極管，其特征在于，包括：
n型硅襯底；
氧化硅凹槽，所述氧化硅凹槽設(shè)置于所述n型硅襯底上方的氧化硅層中、垂直貫穿所述氧化硅層；以及
在所述氧化硅凹槽中，由下至上設(shè)置有：
n型硅層；
p型鍺化硅層；
相變材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直二極管，其特征在于，所述相變材料層中的相變材料為GST。
3.一種權(quán)利要求1所述垂直二極管的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
成型出n型硅襯底，在該n型硅襯底上成型出氧化硅層，并在該氧化硅層中刻蝕出氧化硅凹槽，該氧化硅凹槽垂直貫穿所述氧化硅層；
在所述氧化硅凹槽中的n型硅襯底上淀積出n型硅層；
在所述n型硅層上淀積出p型鍺化硅層；
在所述p型鍺化硅層上淀積出相變材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述沉積相變材料層時(shí)采用的相變材料為GST。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加工方法，其特征在于，在步驟在所述n型硅層上淀積出p型鍺化硅層和在所述p型鍺化硅層上淀積出相變材料層兩步驟之間還設(shè)有，對(duì)淀積出p型鍺化硅層進(jìn)行加熱的步驟。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010248167.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
