[發明專利]一種制作復合半導體薄膜材料的方法有效
| 申請號： | 201010247619.4 | 申請日： | 2010-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN102373470A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 李冬梅;侯成誠;劉明;周文;汪幸;閆學鋒;謝常青;霍宗亮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | C23C28/00 | 分類號： | C23C28/00;G01N30/00;G01N27/407 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制作 復合 半導體 薄膜 材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制作復合半導體薄膜材料的方法，其特征在于，該方法包括：
步驟1：采用光刻膠將敏感膜區外的基片蓋上；
步驟2：采用鍍膜技術，將WO3靶材料蒸發至基片表面形成膜；
步驟3：采用鍍膜技術在己淀積WO3薄膜的基片上淀積一層Au膜；
步驟4：采用鍍膜技術在己淀積WO3和Au薄膜的基片上淀積一層碳納米管薄膜；
步驟5：去除光刻膠，并封裝。
2.根據權利1所述的制作復合半導體薄膜材料的方法，其特征在于，所述基片是石英基片。
3.根據權利1所述的制作復合半導體薄膜材料的方法，其特征在于，所述鍍膜技術是電子束蒸發、磁控濺射，CVD、自組裝、旋涂或滴涂，以在基片表面淀積一層均勻且厚度可調的敏感膜。
4.根據權利1所述的制作復合半導體薄膜材料的方法，其特征在于，所述碳納米管薄膜是由碳納米管靶材或經調制的碳納米管作為蒸發源，用于提高敏感膜在常溫下對H2S氣體的靈敏度。
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