[發(fā)明專利]一種電磁驅(qū)動諧振式微結(jié)構(gòu)壓力傳感器封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010247579.3 | 申請日: | 2010-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN102374915A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 毋正偉;陳德勇;王軍波 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所 |
| 主分類號: | G01L9/00 | 分類號: | G01L9/00;G01L1/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電磁 驅(qū)動 諧振 式微 結(jié)構(gòu) 壓力傳感器 封裝 方法 | ||
1.一種電磁驅(qū)動諧振式微結(jié)構(gòu)壓力傳感器封裝方法,其特征為:包括步驟:
a)將陶瓷環(huán)或玻璃環(huán)氣密性焊接在管座上表面;
b)將一對大小相同、充磁方向相反的磁鐵按一定間距平行固定在管座上表面,位于陶瓷環(huán)或玻璃環(huán)的內(nèi)部,并以陶瓷環(huán)中心對稱,磁鐵充磁方向垂直于管座上表面,兩磁鐵之間正上方形成水平磁場;
c)粘片,將傳感器芯片氣密性鍵合在陶瓷環(huán)或玻璃環(huán)的正上方,諧振梁長度方向與磁鐵平行放置方向相同,陶瓷環(huán)的內(nèi)徑小于芯片尺寸的最大邊長;
d)焊引線,利用引線鍵合技術(shù)將傳感器芯片上的電極與管座上管針連接起來;
e)真空封裝,在真空狀態(tài)下,將管帽和管座焊接在一起,使管帽、管座和傳感器芯片圍成的空間形成真空,諧振梁位于真空腔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述傳感器芯片至少有一組用于驅(qū)動的諧振梁,施加驅(qū)動信號的方式為電磁驅(qū)動;諧振梁的振動方向垂直管座襯底平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝方法,其特征為:所述諧振梁由擴散硅,單晶硅,或者低應(yīng)力SiNx中的任一種制作而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述諧振梁工作在真空狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述步驟a)中,陶瓷環(huán)或玻璃環(huán)和管座是氣密性封接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述管座由導(dǎo)磁性好的可伐合金材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述磁鐵,為一對方形或半圓形磁鐵,固定在管座上表面,充磁方向垂直于管座上表面,方向相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的封裝方法,其特征為:所述兩磁鐵之間的一定間距不小于0.5毫米,磁鐵整體尺寸小于陶瓷環(huán)內(nèi)徑,磁鐵的厚度不高于陶瓷環(huán)厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述傳感器芯片固定在陶瓷環(huán)上方,傳感器芯片中心和陶瓷環(huán)中心連線垂直于管座上表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征為:所述步驟b)中,在兩磁鐵底部與管座上表面之間,固接一導(dǎo)磁鐵環(huán)。
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