[發明專利]光電裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201010247229.7
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN102024871A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 林宏樹;全振完
• 申請（專利權）人: 韓國鐵鋼株式會社;韓國科學技術院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強;鄔玥

1.一種光電裝置的制造方法，其特征在于，該制造方法包括以下步驟：

準備形成有溝槽(101、102、103、104、301、302、303、304、501、502)的基板(100、300、500)；

在所述溝槽之間的區域上形成第一電極層(110、310、510)和輔助電極層(120、320、520)，其中，所述輔助電極層(120、320、520)的電阻小于所述第一電極層的電阻且與所述第一電極層的部分區域相接觸，并位于所述第一電極層的上部或下部；

在所述第一電極層或所述輔助電極層上形成光電轉換層(130、330、530)；

將第二導電性物質傾斜沉積在所述光電轉換層上以形成第二電極層(140、340、540)；

對形成于所述溝槽內部的光電轉換層進行蝕刻以使所述第一電極層或所述輔助電極層暴露；

將第三導電性物質傾斜沉積在所述第二電極層上以形成導電層(160、350、550)，以使所述第一電極層或所述輔助電極層與所述第二電極層在所述溝槽內部相電連接，其中，所述第一電極層或所述輔助電極層形成于所述區域中通過光而產生電流的一個區域，而所述第二電極層形成于通過光而產生電流的另一個區域。

2.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，對所述光電轉換層進行蝕刻時，將所述第二電極層作為掩模來使用。

3.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，所述溝槽按照規定角度傾斜。

4.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，對所述光電轉換層進行蝕刻之后，利用絕緣物質(150)來填埋所述溝槽中的一個溝槽。

5.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，所述溝槽中部分相鄰溝槽之間的間隔小于相當于有效區域的相鄰溝槽之間的間隔。

6.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，用來透射光的槽(302、304)位于所述相鄰溝槽之間，所述輔助電極層位于所述槽之間。

7.如權利要求6所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，所述槽中深度相對于寬度的比例或深度相對于直徑的比例大于所述溝槽中深度相對于寬度的比例。

8.如權利要求6所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，通過對形成于所述槽的所述光電轉換層進行蝕刻，以使所述槽的底面暴露。

9.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，將第一導電性物質傾斜沉積在所述基板上以形成所述第一電極層。

10.如權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，還包括將短路防止物質傾斜沉積在所述光電轉換層和所述第二電極層上的步驟。

11.一種光電裝置的制造方法，其特征在于，該制造方法包括以下步驟：

在基板(700)上形成具有規定厚度和寬度的第一電極層(710)；

將電阻小于所述第一電極層的輔助電極層(720)形成在所述第一電極層的上部或下部，以使與所述第一電極層接觸；

在所述第一電極層或所述輔助電極層的區域、在相鄰的所述第一電極層之間的區域上形成光電轉換層(730)；

將第二導電性物質傾斜沉積在所述光電轉換層上以形成第二電極層(740)；

對所述光電轉換層進行蝕刻，以使位于相鄰的所述第二電極層之間的所述輔助電極層暴露；

將第三導電性物質傾斜沉積在所述第二電極層上以形成導電層(750)，以使形成于所述相鄰第一電極層的一個區域上的所述輔助電極層與形成于另一個第一電極層區域上的所述第二電極層相電連接。

12.如權利要求11所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，所述第一電極層通過使用溶膠-凝膠溶液的印刷法來形成。

13.如權利要求11所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，對所述光電轉換層進行蝕刻時，將所述第二電極層作為掩模來使用。

14.如權利要求11所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，在整個所述第一電極層中，部分第一電極層的寬度小于有效區域的第一電極層的寬度。

15.如權利要求11所述的光電裝置的制造方法，其特征在于，還包括將短路防止物質傾斜沉積在所述光電轉換層和所述第二電極層上的步驟。