[發明專利]電熔絲電路及其操作方法

有效

• 申請號: 201010247008.X
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN102201392A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 崔俊基
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

1.一種熔絲電路，包括：

電熔絲，所述電熔絲耦合至第一電壓源；

低電阻提供單元，所述低電阻提供單元耦合至所述電熔絲并具有能夠被擊穿的結；以及

開關單元，所述開關單元耦合在所述低電阻提供單元與第二電壓源之間。

2.如權利要求1所述的熔絲電路，其中，所述低電阻提供單元包括NMOS晶體管，在所述NMOS晶體管中，在漏區與體區之間發生擊穿。

3.如權利要求2所述的熔絲電路，其中，所述開關單元包括NMOS晶體管，所述NMOS晶體管在熔絲斷裂信號被使能時將所述低電阻提供單元的體區的電壓傳送至所述第二電壓源。

4.如權利要求1所述的熔絲電路，其中，在輸出節點與所述電熔絲和所述低電阻提供單元的耦合節點之間，設置有被配置為鎖存所述耦合節點的電壓的鎖存單元和被配置為緩沖所述鎖存單元的輸出信號的放大單元。

5.一種熔絲電路，包括：

具有能夠被擊穿的結的晶體管，所述能夠被擊穿的結作為使熔絲電斷裂的電流的路徑。

6.如權利要求5所述的熔絲電路，其中，所述熔絲耦合在所述具有能夠被擊穿的結的晶體管的漏區與第一電壓源之間。

7.如權利要求6所述的熔絲電路，還包括：

開關單元，所述開關單元被配置為被施加有來自所述具有能夠被擊穿的結的晶體管的電流，并將所施加的電流放電至第二電壓源。

8.如權利要求7所述的熔絲電路，其中，所述第一電壓源具有泵浦電壓的電平。

9.如權利要求7所述的熔絲電路，其中，所述第二電壓源具有襯底偏壓的電平。

10.一種操作熔絲電路的方法，所述熔絲電路包括：熔絲，所述熔絲與第一電壓源耦合；低電阻提供單元，所述低電阻提供單元與所述熔絲耦合，并由MOS晶體管構成；以及開關單元，所述開關單元與所述低電阻提供單元耦合，并被配置為響應于熔絲斷裂信號而將從所述低電阻提供單元提供的電流放電至第二電壓源，所述方法包括以下步驟：

擊穿所述低電阻提供單元的結；

選擇性地使所述熔絲斷裂；以及

檢測所述熔絲是否斷裂。

11.如權利要求10所述的方法，其中，所述擊穿所述低電阻提供單元的步驟包括以下步驟：

在所述熔絲斷裂信號被使能的情況下，增大所述第一電壓源與所述第二電壓源之間的電位差，使所述電位差大于所述MOS晶體管的擊穿電壓的電平。

12.如權利要求10所述的方法，還包括以下步驟：

在所述熔絲斷裂信號被使能的情況下，增大所述第一電壓源與所述第二電壓源之間的電位差，使所述電位差處于能夠使所述熔絲斷裂的范圍內。

13.如權利要求10所述的方法，其中，所述檢測所述熔絲是否斷裂的步驟根據所述熔絲和所述低電阻提供單元的耦合節點的電壓電平來確定所述熔絲是否斷裂。

14.一種操作熔絲電路的方法，包括以下步驟：

利用漏區和體區能夠被擊穿的MOS晶體管來傳導用于使熔絲斷裂的電流。

15.一種包括熔絲電路的半導體裝置，所述熔絲電路包括：

電熔絲，所述電熔絲連接至第一電壓源；

低電阻提供單元，所述低電阻提供單元連接至所述電熔絲，并具有能夠被擊穿的結；以及

開關單元，所述開關單元連接在所述低電阻提供單元與第二電壓源之間。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，所述低電阻提供單元包括NMOS晶體管，在所述NMOS晶體管中，在漏區與體區之間能夠發生擊穿。

17.如權利要求16所述的半導體裝置，其中，所述開關單元包括NMOS晶體管，所述NMOS晶體管在熔絲斷裂信號被使能時將所述低電阻提供單元的體區的電壓傳送至所述第二電壓源。

18.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，在輸出節點與所述電熔絲和所述低電阻提供單元的耦合節點之間，設置有被配置為鎖存所述耦合節點的電壓的鎖存單元和被配置為緩沖所述鎖存單元的輸出信號的放大單元。