[發明專利]一種高壓功率半導體器件的邊緣終端結構無效
| 申請號： | 201010246816.4 | 申請日： | 2010-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN101969069A | 公開（公告）日： | 2011-02-09 |
| 發明（設計）人： | 胡佳賢;韓雁;揭英亮;陳素鵬;張世峰;張斌 | 申請（專利權）人： | 浙江大學;廣東省粵晶高科股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 功率 半導體器件 邊緣 終端 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓功率半導體器件的邊緣終端結構，包括若干個將功率半導體器件環繞、與襯底具有相反導電類型的場限環，其特征在于，在場限環周圍設有與場限環導電類型相同，摻雜濃度小于場限環的摻雜區域，該摻雜區域將場限環包裹。
2.根據權利要求1所述的高壓功率半導體器件的邊緣終端結構，其特征在于，所述的場限環上覆有場板，場限環與場板之間用二氧化硅層間隔。
3.根據權利要求2所述的高壓功率半導體器件的邊緣終端結構，其特征在于，所述的場板的材料選自銅、鋁、多晶硅、摻氧多晶硅。
4.根據權利要求3所述的高壓功率半導體器件的邊緣終端結構，其特征在于，相鄰的場板之間用二氧化硅間隔，該二氧化硅厚度大于場限環與場板之間的二氧化硅層。
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