[發(fā)明專利]一種高壓功率半導(dǎo)體器件的邊緣終端結(jié)構(gòu)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010246809.4
• 申請(qǐng)日: 2010-08-06
• 公開（公告）號(hào): CN101969068A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡佳賢;韓雁;張世峰;張斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L27/02
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種高壓功率半導(dǎo)體器件的邊緣終端結(jié)構(gòu)，包括若干個(gè)將功率半導(dǎo)體器件環(huán)繞、與襯底具有相反導(dǎo)電類型的場(chǎng)限環(huán)，其特征在于，在場(chǎng)限環(huán)單側(cè)或兩側(cè)設(shè)有與場(chǎng)限環(huán)導(dǎo)電類型相同，摻雜濃度小于場(chǎng)限環(huán)的摻雜區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓功率半導(dǎo)體器件的邊緣終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的場(chǎng)限環(huán)上覆有場(chǎng)板，場(chǎng)限環(huán)與場(chǎng)板之間用二氧化硅層間隔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓功率半導(dǎo)體器件的邊緣終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的場(chǎng)板的材料選自銅、鋁、多晶硅、摻氧多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓功率半導(dǎo)體器件的邊緣終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的場(chǎng)板之間用二氧化硅間隔，該二氧化硅厚度大于場(chǎng)限環(huán)與場(chǎng)板之間的二氧化硅層。