[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造的方法及系統(tǒng)以及制造半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010246707.2
• 申請(qǐng)日: 2010-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN102201323A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許志維;宋金寧;盧欣榮;牟忠一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00
• 代理公司: 北京市德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導(dǎo)體制造方法，包括：

提供一晶片的一裝置參數(shù)的一模型作為第一及第二工藝參數(shù)的一函數(shù)，該第一及第二工藝參數(shù)分別對(duì)應(yīng)不同晶片特性；

根據(jù)該裝置參數(shù)的一特定目標(biāo)值推導(dǎo)該第一及第二工藝參數(shù)的目標(biāo)值；

對(duì)應(yīng)該第一工藝參數(shù)的該目標(biāo)值實(shí)施一第一工藝；

測(cè)量該第一工藝參數(shù)的一實(shí)際值；

使用該第一工藝參數(shù)的該實(shí)際值更新該模型；

使用該更新的模型推導(dǎo)該第二工藝參數(shù)的一修正目標(biāo)值；以及

對(duì)應(yīng)該第二工藝參數(shù)的該修正目標(biāo)值實(shí)施一第二工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其中該模型包括一方程式：DP＝a₁*P₁+a₂*P₂+b，其中DP表示該裝置參數(shù)，P₁及P₂分別表示該第一及第二工藝參數(shù)，a₁及a₂是系數(shù)，以及b是常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其中該裝置參數(shù)包括飽和漏極電流、臨界電壓、互導(dǎo)、互阻、飽和漏極電流均勻性、臨界電壓均勻性、互導(dǎo)均勻性以及互阻均勻性之一；以及

該工藝參數(shù)包括有源區(qū)域臨界尺寸、淺溝槽絕緣階高度、多晶硅區(qū)域臨界尺寸、偏移間隔寬度臨界尺寸、快速熱退火溫度、柵極氧化厚度以及袋注入劑量之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，還包括：

測(cè)量該裝置參數(shù)的一實(shí)際值；

使用該裝置參數(shù)的該實(shí)際值更新該模型；

測(cè)量該第二工藝參數(shù)的一實(shí)際值；

對(duì)應(yīng)該第一工藝參數(shù)的該目標(biāo)值、該第一工藝參數(shù)的該實(shí)際值以及其組合之一決定該第一工藝參數(shù)的一最佳化目標(biāo)值；以及

對(duì)應(yīng)該第二工藝參數(shù)的該目標(biāo)值、該第二工藝參數(shù)的該實(shí)際值、該第一工藝參數(shù)的該實(shí)際值及其組合之一決定該第二工藝參數(shù)的一最佳化目標(biāo)值。

5.一種制造一半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

根據(jù)一第二參數(shù)的一目標(biāo)值決定一第一參數(shù)的一目標(biāo)值；

對(duì)應(yīng)該第一參數(shù)的該目標(biāo)值操作一第一制造工具；

測(cè)量該第一參數(shù)的一實(shí)際值；

根據(jù)該第二參數(shù)的該實(shí)際值及該第一參數(shù)的該目標(biāo)值決定一第三參數(shù)的一目標(biāo)值；以及

對(duì)應(yīng)該第三參數(shù)的該目標(biāo)值操作一第二制造工具；

其中該第二參數(shù)是該第一及第三參數(shù)的一函數(shù)；

其中該第一及第三參數(shù)對(duì)應(yīng)一半導(dǎo)體晶片的物理特性，及該第二參數(shù)對(duì)應(yīng)該半導(dǎo)體晶片的一電特性。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造一半導(dǎo)體裝置的方法，其中該函數(shù)表示為：該第二參數(shù)＝a₁*(該第一參數(shù))+a₂*(該第三參數(shù))+b，其中a₁與a₂是系數(shù)，且b是常數(shù)；以及其中在一第一半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行該操作該第一工藝工具及該操作該第二工藝工具；以及還包括：

根據(jù)該第一參數(shù)的該目標(biāo)值以及該第一參數(shù)的該實(shí)際值決定該第一參數(shù)的一修正目標(biāo)值；

對(duì)應(yīng)該第一參數(shù)的該修正目標(biāo)值操作在一第二半導(dǎo)體晶片上的該第一工藝工具，該第二半導(dǎo)體晶片不同于該第一半導(dǎo)體晶片；

根據(jù)該第三參數(shù)的該目標(biāo)值、該第三參數(shù)的該實(shí)際值以及該第一參數(shù)的該實(shí)際值決定該第三參數(shù)的一修正目標(biāo)值；以及

對(duì)應(yīng)該第三參數(shù)的該修正目標(biāo)值操作在該第二半導(dǎo)體晶片上的該第二工藝工具。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造一半導(dǎo)體裝置的方法，其中在一第一半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行該操作該第一制造工具及操作該第二制造工具，以及還包括：

測(cè)量該第二參數(shù)的一實(shí)際值；

決定該第一及第三參數(shù)的修正目標(biāo)值；以及

對(duì)應(yīng)該第一及第三參數(shù)的該修正目標(biāo)值在一第二半導(dǎo)體晶片上操作該第一及第二制造工具，該第二半導(dǎo)體晶片不同于該第一半導(dǎo)體晶片。