[發明專利]光刻圖案化方法及雙重圖案化方法

無效

• 申請號: 201010246690.0
• 申請日: 2010-08-04
• 公開（公告）號: CN102147568A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 陳俊光;葉孝蔚;林致安;王建惟;許峰誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/004;G03F7/039
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種光刻圖案化方法，包括：

在一基底上形成一第一阻劑圖案，該第一阻劑圖案內具有多個開口位于該基底上；

對該第一阻劑圖案進行烘烤，以形成一烘烤過的阻劑圖案；以及

在該基底上且位于該烘烤過的阻劑圖案的多個開口內形成一第二阻劑層，其中該烘烤過的阻劑圖案不溶于該第二阻劑層。

2.如權利要求1所述的光刻圖案化方法，其中該第一阻劑圖案由具有熱酸產生劑、交鏈劑、界面活性劑或高助溶劑的一第一正型阻劑層所構成。

3.如權利要求1所述的光刻圖案化方法，還包括：

對該第二阻劑層進行曝光，以在該第二阻劑層內定義出至少一開口；以及

施加一化學劑，以去除該烘烤過的阻劑圖案。

4.如權利要求1所述的光刻圖案化方法，還包括：

對該第二阻劑層進行曝光，以在該基底上定義出多個曝光及未曝光的特征部件；以及

施加一化學劑，以去除該烘烤過的阻劑圖案及所述多個曝光的特征部件，而在該基底上留下所述多個未曝光的特征部件。

5.如權利要求1所述的光刻圖案化方法，還包括：

對該第二阻劑層進行曝光，以在該基底上定義出多個曝光及未曝光的特征部件；

施加一顯影溶劑，以去除所述多個曝光的特征部件，而在該基底上留下所述多個未曝光的特征部件；以及

實施一蝕刻工藝，以相對于所述多個未曝光的特征部件選擇性去除該烘烤過的阻劑圖案。

6.一種光刻圖案化方法，包括：

在一基底上形成一第一阻劑圖案，該第一阻劑圖案內具有多個開口位于該基底上；

對該第一阻劑圖案進行烘烤，以形成一烘烤過的阻劑圖案；

在該基底上且位于該烘烤過的阻劑圖案的多個開口內形成一第二阻劑層；

對該第二阻劑層進行曝光，以形成至少一個曝光的特征部件及至少一個未曝光的特征部件；以及

通過去除該烘烤過的阻劑圖案及該曝光的特征部件，以形成一第二阻劑圖案。

7.如權利要求6所述的光刻圖案化方法，其中該第一阻劑圖案由具有熱酸產生劑、交鏈劑或高助溶劑的一第一正型阻劑層所構成。

8.如權利要求6所述的光刻圖案化方法，其中該烘烤過的阻劑圖案不溶于該第二阻劑層，而溶于一顯影溶劑。

9.如權利要求6所述的光刻圖案化方法，其中通過一顯影溶劑去除該烘烤過的阻劑圖案及該曝光的特征部件。

10.一種雙重圖案化方法，包括：

在一基底上形成一第一正型阻劑圖案，該第一正型阻劑圖案由具有多個開口的一第一正型阻劑層所構成，且該第一正型阻劑層包括熱酸產生劑、交鏈劑或高助溶劑；

對該第一正型阻劑圖案進行烘烤，以形成一烘烤過的阻劑圖案；

在該基底上且位于該烘烤過的阻劑圖案的多個開口內形成一第二正型阻劑層；

對該第二正型阻劑層進行曝光，以在該基底上形成多個曝光的阻劑特征部件以及多個未曝光的阻劑特征部件；以及

通過提供一溶劑來去除該烘烤過的阻劑圖案及所述多個曝光的阻劑特征部件并留下所述多個未曝光的阻劑特征部件，以形成一第二正型阻劑圖案。

11.如權利要求10所述的雙重圖案化方法，其中形成該第二正型阻劑層包括實施一旋轉涂布工藝，且其中該旋轉涂布工藝包括調整旋轉速度，使該第二正型阻劑層薄于該第一正型阻劑層，以及

包括調整該第二正型阻劑層的表面張力，使該第二正型阻劑層薄于該第一正型阻劑層。

12.如權利要求10所述的雙重圖案化方法，其中該溶劑為顯影溶劑。