[發明專利]用于金屬基底的半水性剝離和清潔制劑及其使用方法無效
| 申請號: | 201010246319.4 | 申請日: | 2010-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN101993797A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發明(設計)人: | M·I·埃格貝 | 申請(專利權)人: | 氣體產品與化學公司 |
| 主分類號: | C11D7/32 | 分類號: | C11D7/32;C11D7/26;H01L21/3105;G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳文平 |
| 地址: | 美國賓夕*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 金屬 基底 水性 剝離 清潔 制劑 及其 使用方法 | ||
1.一種半水性剝離和清潔制劑,包括:
a.鏈烷醇胺;
b.水可混溶的有機共溶劑;
c.季銨化合物;
d.非游離酸官能團緩蝕劑;和
e.水;
其中所述制劑的pH大于9。
2.如權利要求1所述的制劑,其中所述鏈烷醇胺選自單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、二乙基羥胺及其混合物;所述水可混溶的有機共溶劑選自二醇醚和糠醇;且所述鏈烷醇胺和所述水可混溶的有機共溶劑的總重量百分比為1重量%-50重量%。
3.如權利要求1所述的制劑,其中所述水可混溶的有機共溶劑選自丙二醇(PG)、一縮二丙二醇甲基醚(DPM)、二縮三丙二醇甲基醚(t-PGME)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇丙醚(PGPE)、三(丙二醇)單甲醚、2-(2-丁氧乙氧基)乙醇、四氫糠醇(THFA)及其混合物。
4.如權利要求1所述的制劑,其中所述季銨化合物為0.5重量%-10重量%,且選自氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨(TBAH)、氫氧化四丙銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化芐基三甲基銨及其混合物。
5.如權利要求1所述的制劑,其中所述緩蝕劑為0.5重量%-15重量%,且選自兒茶酚、叔丁基兒茶酚、連苯三酚、沒食子酸酯及其混合物。
6.一種半水性剝離和清潔制劑,包括:
a.選自單乙醇胺、N-甲基乙醇胺及其混合物的鏈烷醇胺;
b.選自丙二醇(PG)、一縮二丙二醇甲基醚(DPM)、二縮三丙二醇甲基醚(t-PGME)、四氫糠醇(THFA)及其混合物的水可混溶的有機共溶劑;
c.0.5重量%-10重量%的選自氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨(TBAH)及其混合物的季銨化合物;
d.0.5重量%-15重量%的選自叔丁基兒茶酚、連苯三酚及其混合物的緩蝕劑;
e.剩余物水;
其中所述鏈烷醇胺和所述水可混溶的有機共溶劑的總重量百分比為5重量%-40重量%,且所述制劑的pH大于9。
7.如權利要求6所述的制劑,其中所述水可混溶的有機共溶劑為一縮二丙二醇甲基醚(DPM)。
8.一種從半導體基底除去光致抗蝕劑、蝕刻或灰化殘留物以及污染物的方法,包括:
將半導體基底與制劑接觸,所述制劑包括:
a.鏈烷醇胺;
b.水可混溶的有機共溶劑;
c.季銨化合物;
d.非游離酸官能團緩蝕劑;和
e.水;
其中所述制劑的pH大于9。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述鏈烷醇胺選自單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、二乙基羥胺及其混合物;所述水可混溶的有機共溶劑選自二醇醚和糠醇;且所述鏈烷醇胺和所述水可混溶的有機共溶劑的總重量百分比為5重量%-40重量%。
10.如權利要求8所述的方法,其中所述水可混溶的有機共溶劑選自丙二醇(PG)、一縮二丙二醇甲基醚(DPM)、二縮三丙二醇甲基醚(t-PGME)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇丙醚(PGPE)、三(丙二醇)單甲醚、2-(2-丁氧乙氧基)乙醇、四氫糠醇(THFA)及其混合物。
11.如權利要求8所述的方法,其中所述季銨化合物為0.5重量%-10重量%,且選自氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨(TBAH)、氫氧化四丙銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二乙基二甲基銨、氫氧化芐基三甲基銨及其混合物。
12.如權利要求8所述的方法,其中所述緩蝕劑為0.5重量%-15重量%,且選自兒茶酚、叔丁基兒茶酚、連苯三酚、沒食子酸酯及其混合物。
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