[發明專利]半導體發光二極管組件

無效

• 申請號: 201010245803.5
• 申請日: 2010-08-05
• 公開（公告）號: CN102347431A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健;曾堅信
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體發光組件，特別是關于一種可發出多波段之發光二極管組件。

背景技術

固態發光組件(solid?state?light?emitting?component)之技術日益進步，越來越多產品的發光源均采用發光二極管(light?emitting?diode，LED)或雷射二極管(laser?diode，LD)，例如照明(lighting)或背光模塊(backlight?unit)。固態發光組件相較于傳統燈泡其特點包含較長的壽命、較低的能量消耗、較低的熱能產生、較少的紅外光光譜產生以及組件尺寸較小(compact)。由于發光二極管組件的發光層無法單獨形成白光，一般大都采用混合光的方法產生具有白色光源之固態發光組件，例如發藍光的發光二極管組件搭配黃色熒光粉的封裝，或者采用紅、綠以及藍三顏色發光二極管組件的多晶粒封裝，后者可參考美國專利號7,635,870的先前技藝。

藍光發光二極管組件搭配黃色熒光粉的封裝雖然能夠形成白光，但其演色性(colorrenderingindex，CRI)不足，特別是紅色的光譜區域尤其缺乏。另外，多晶粒封裝雖然能夠產生演色性較佳的白光，但紅、綠以及藍三顏色發光二極管組件的光衰退程度不同，容易導致組件良率下降。且多晶粒封裝中發光二極管組件與晶粒之間需要一特定距離以實施固晶打線，導致組件占用體積過大，倘若晶粒與晶粒之間的距離過長則容易導致混光不均勻以及出現不必要的色區等缺失。承上述先前技藝的缺失，有必要一項新的技術以克服舊有技術的缺失。

發明內容

本發明之目的為提供一可發出多波段的半導體發光二極管組件。

本發明揭露一半導體發光二極管組件，包含一基板；一發光結構，包含一第一發光區域、一第二發光區域以及一第三發光區域分別設置于所述基板上，并且所述第一發光區域、第二發光區域以及第三發光區域分別具有一p型半導體層、一n型半導體層以及至少一發光層；一第一熒光轉換層設置在第一發光區域的表面，其中所述第一熒光轉換層可以將第一發光區域所發出的光線轉換成不同波長的光線；以及一第二熒光轉換層設置在所述第二發光區域的表面，其中所述第二熒光轉換層可以將第二發光區域所發出的光線轉換成不同波長的光線。

可選擇性地，于所述基板設置一光學感測組件，用以感測半導體發光二極管組件的混光穩定性，并以回饋機制來控制輸入電流使半導體發光二極管組件發出的色彩在需求的條件內。

相較于發明背景所述的先前技藝，本發明之半導體發光二極管組件將熒光轉換層直接形成于晶粒表面，同時使半導體發光二極管組件具有可發出不同波段之多個發光區域產生混光，如此不僅使組件良率提升、混光效果佳且占用體積小。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例之半導體發光二極管組件的剖面示意圖；

圖2A至2E為本發明第一實施例的不同電路結構示意圖；

圖3為本發明第二實施例之半導體發光二極管組件的剖面示意圖；

圖4為本發明第三實施例之半導體發光二極管組件的剖面示意圖；

圖5為本發明第四實施例之半導體發光二極管組件的剖面示意圖；以及

圖6為本發明第五實施例之半導體發光二極管組件的剖面示意圖。

主要元件符號說明

半導體發光二極管組件?????1、2、3、4、5

基板?????????????????????10、30

第一發光區域????????11、31

第二發光區域????????12、32

第三發光區域????????13、33

第一熒光轉換層??????14、34

第二熒光轉換層??????15、35

發光結構????????????20、40

第三熒光轉換層??????36

光學感測組件????????100

p型半導體層?????????111、121、131、311、321、331

發光層??????????????112、122、132、312、322、332

n型半導體層?????????113、123、133、210、313、323、

????????????????????333、410

具體實施方式