[發明專利]含硒雜環化合物的聚合物及其在制備發光材料中的應用有效
| 申請號: | 201010244975.0 | 申請日: | 2002-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN101885836A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發明(設計)人: | 曹鏞;陽仁強;楊偉 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/46 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雜環化合物 聚合物 及其 制備 發光 材料 中的 應用 | ||
技術領域
本發明涉及聚合物,更詳細地是含硒雜環化合物的聚合物。本發明還涉及該聚合物在制備發光材料中的應用。本申請是200810210612.8的分案申請。
背景技術
自1977年日本科學家白川英樹發現聚乙炔導電以來,這種被稱為“第四代高分子”材料的導電聚合物以其突出的光電性能吸引了眾多科學家進行研究。導電高分子同具有相同或相近用途的無機材料相比,具有密度低,易加工,合成選擇范圍廣等優點。由于這類材料結構的共軛特性,使它能傳輸電荷,受激發光,從而能夠或潛在可能在許多電子或光電子器件上得到應用,例如包括高分子發光二極管,光伏打電池,場效應管等。潛在的應用前景和廣泛的應用領域促使科學家競相研究這類具有光電活性的共軛材料,包括聚乙炔,聚吡咯,聚噻吩,聚苯胺,聚芴等。當電子從成鍵軌道躍遷至反鍵軌道時(π-π*躍遷),帶有芳環或雜環結構的高分子通常吸收波長300-500納米的光,當從反鍵軌道躍遷至成鍵軌道時,釋放出能量,通常發出可見區內相應波長的光子,這就是發光高分子材料。
發光高分子材料由于突出的優點,掀起了電子顯示技術的一場革命。在過去的十年里,開發了數量眾多的發光聚合物。要制作可商品化的發光器件,材料的發光色坐標,發光量子效率,工作電壓(功耗),器件的長期使用穩定性都必須優化選擇。研究人員一直在努力尋求改善和提高高分子發光二極管性能的方法,材料是最重要的因素之一。所以許多研究小組一直致力于開發具有高量子效率,色純度好,長期穩定性好的導發光聚合物。
發明內容
本發明的目的在于提供一種含硒雜環化合物的聚合物,該聚合物具有高量子效率,色純度好,長期穩定性好,適用于高分辨率、全色平面顯示。
本發明還涉及含硒雜環化合物的聚合物在制備發光材料中的應用;含硒雜環化合物的聚合物在制備光伏材料中的應用。含硒雜環化合物的聚合物在制備發光二極管、平板顯示器中的發光層中的應用。含硒雜環化合物的聚合物在制備太陽光伏電池的活性層中的應用。
本發明的含硒雜環化合物的聚合物單體包括含元素硒的雜環化合物。
所述含元素硒的雜環化合物具有如下一種或一種以上結構單元:
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基,烷氧基;
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基,烷氧基;
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基;
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基,X為S,Se,N-Me;
X為S,Se,N-Me;
X為S,Se,N-Me;
X為S,Se,N-Me;
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基;
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基;
其中R1,R2為H,C1-C20的烷基,X為S,Se,N-Me;
X為S,Se;
X為S,Se,N-Me;
X為S,Se;
含元素硒的雜環化合物在聚合物中占0.1-100%摩爾。
含硒雜環化合物的聚合物還包括另一組分聚芴、聚對苯、聚對苯乙炔、聚SPIRO-對苯、梯形聚對苯(ladder-PPP)共軛聚合物一種或一種以上,其中含元素硒的雜環化合物在聚合物中占0.1-99%.摩爾,另一組分的分子結構如下:
聚芴:其中R1,R2為H,C1-C20的烷基;
聚對苯:其中R1,R2為H,C1-C20的烷基,烷氧基;
聚對苯乙炔:其中R1,R2為H,C1-C20的烷氧基;
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