[發明專利]記憶元件和與非門快閃記憶體的選取記憶熱載子注射方法

有效

• 申請號: 201010244892.1
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN102347076A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 黃竣祥;蔡文哲
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/08
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶元件，其特征在于包含：

多個記憶胞串聯于一半導體主體中，

多條字元線，該多條字元線中的字元線與對應的該多個記憶胞中的記憶胞耦接；以及

控制電路與該多條位元線耦接，以下列步驟對一所選取字元線對應的該多個記憶胞中的一選取記憶胞進行程序化：

在一程序化區間時施加一通過電壓至該所選取字元線的一第一側的字元線；

借由電容性耦合將一第一半導體主體區域自我壓升至一自我壓升電壓；

在該程序化區間時施加一程序化電壓至該所選取字元線；

在該程序化區間時偏壓于該所選取字元線的一第二側的一第二半導體主體區域至一參考電壓；以及

施加一切換電壓至一與該所選取字元線相鄰的字元線，該切換電壓在該程序化區間時具有一第一階段及一第二階段，以在該第一階段將與該所選取字元線對應的該選取記憶胞與該參考電壓隔離，且在該第二階段將該選取記憶胞與該參考電壓耦接。

2.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中與該所選取字元線對應的該選取記憶胞在該第二階段時被偏壓至該切換電壓以進行通道熱載子程序化。

3.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中所述的切換電壓在該第二階段時是小于該程序化電壓。

4.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中所述的多個記憶胞安排成一與非門串列。

5.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于還包括一第一切換開關位于一位元線與該多個記憶胞的一第一側之間，及一第二切換開關位于一參考線與該多個記憶胞的一第二側之間，且其中該控制電路在該程序化區間開啟該第一切換開關及關閉該第二切換開關。

6.根據權利要求5所述的記憶元件，其特征在于還包括第二多個記憶胞與該多條字元線耦接，且其中該控制電路施加一電壓至一與該第二多個記憶胞對應的一第二位元線以將與該所選取字元線的該第二側對應的該第二多個記憶胞中的一半導體主體區域隔離，且施加一通過電壓于該所選取字元線的該第二側對應的字元線以自我壓升該第二多個記憶胞所在的一半導體主體區域至一電壓以抑制與該所選取字元線耦接的該第二多個記憶胞中的一記憶胞產生熱載子。

7.根據權利要求5所述的記憶元件，其特征在于還包含額外的記憶胞與該多個記憶胞串聯于該半導體主體區域中及一條額外的字元線，且該額外的記憶胞放置在介于該多個記憶胞與該第二切換開關之間，且當該控制電路于該程序化區間施加一通過電壓于該額外的字元線，因此該所選取字元線的該第一側的該半導體主體區域的電容值提高。

8.根據權利要求5所述的記憶元件，其特征在于其中所述的控制電路在該切換電壓的一部分的該第一階段開啟該第二切換開關，且在該切換電壓的一部分的該第二階段關閉該第二切換開關。

9.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于還包括一第一切換開關位于一位元線與該多個記憶胞的一第一側之間，及一第二切換開關于一參考線與該多個記憶胞的一第二側之間，且其中該控制電路在該程序化區間關閉該第一切換開關及開啟該第二切換開關。

10.根據權利要求9所述的記憶元件，其特征在于還包括第二多個記憶胞與該多條字元線及一第二位元線耦接，且其中該控制電路在該程序化區間偏壓該第二位元線使得在該所選取字元線的該第一側的該第二多個記憶胞中的一第一半導體主體區域，及在該所選取字元線的該第二側的該第二多個記憶胞中的一第二半導體主體區域被偏壓至一參考電壓以抑制熱載子的產生。

11.根據權利要求9所述的記憶元件，其特征在于還包含額外的記憶胞與該多個記憶胞串聯于該半導體主體區域中及一條額外的字元線，且該額外的記憶胞放置在介于該多個記憶胞與該第一切換開關之間，且當該控制電路于該程序化區間施加一通過電壓于該額外的字元線，因此該所選取字元線的該第一側的該半導體主體區域的電容值提高。

12.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中所述的控制電路在該程序化區間時施加一切換電壓至多條字元線。

13.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中所述的多條字元線包括第一組字元線靠近該多個記憶胞的一端，且第二組字元線靠近該多個記憶胞的另一端，且該控制電路決定該選取字元線是在該第一組或第二組，且分配該選取字元線的該第一端為包含該第一組或第二組。