[發明專利]半導體裝置的修復電路和修復方法

有效

• 申請號: 201010244677.1
• 申請日: 2010-08-04
• 公開（公告）號: CN102110482A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 崔香花;李政祐;辛尚勛
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

相關申請的交叉引用

本申請要求于2009年12月24日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2009-0130756的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及半導體裝置，更具體而言，涉及半導體裝置的修復電路和修復方法。

背景技術

為提高半導體裝置的集成度，已研制出三維半導體裝置。在三維半導體裝置中，多個芯片被層疊在單個封裝中。另一方面，近來在本領域公開了TSV(Through-silicon?Via，穿通硅通孔)型半導體裝置，在所述TSV型半導體裝置中，硅通孔穿過層疊的多個芯片而形成，使得所有芯片彼此電連接。

三維半導體裝置具有多個TSV，使得層疊的多個芯片可以共同地接收各種信號。然而，可能會產生與TSV有關的各種缺陷。例如，這些缺陷可以包括因TSV中導電材料的不完全填充而產生的孔隙、因芯片的翹曲或凸塊材料的遷移而導致的凸塊接觸失效、TSV自身的裂縫等。

由于TSV將多個芯片電連接在一起，如果產生缺陷并且TSV因缺陷而斷開，則TSV不能正確地實現其功能。因此，需要一種用正常的TSV來替代有缺陷的TSV的修復方法。

發明內容

在本發明的一個實施例中，提供一種半導體裝置的修復電路，包括：多個穿通硅通孔，包括重復設置的一個修復穿通硅通孔和M個正常穿通硅通孔；發送單元，被配置為基于控制信號，以第一多路復用率對輸入數據進行多路復用，并將多路復用的數據傳輸至多個穿通硅通孔；接收單元，被配置為基于控制信號，以第二多路復用率對經由多個穿通硅通孔傳輸的信號進行多路復用，并產生輸出數據；以及控制信號發生單元，被配置為基于測試信號的輸入次數來產生控制信號。

在本發明的另一個實施例中，提供一種半導體裝置的修復電路，包括：多個穿通硅通孔，包括具有一個修復穿通硅通孔和兩個正常穿通硅通孔的重復的組；發送單元，被配置為基于控制信號，以2:1的多路復用比對4比特的輸入數據的組進行多路復用，并將產生的輸入數據傳輸至多個穿通硅通孔；接收單元，被配置為基于控制信號，以3:1的多路復用比對經由多個穿通硅通孔傳輸的信號進行多路復用，并產生4比特的輸出數據；以及控制信號發生單元，被配置為基于測試信號的輸入次數來產生控制信號的組，其中，基于控制信號，失效的穿通硅通孔由在編號上與失效穿通硅通孔相鄰的穿通硅通孔來替代。

在本發明的另一個實施例中，提供一種半導體裝置的修復方法，所述半導體裝置包括多個穿通硅通孔，所述多個穿通硅通孔包括具有一個修復穿通硅通孔和兩個正常穿通硅通孔的重復的組，所述方法包括以下步驟：確定測試過程中輸出的數據的邏輯值是否等于目標邏輯值和穿通硅通孔是否失效；以及用與失效的穿通硅通孔相鄰的修復穿通硅通孔替代失效的穿通硅通孔。

附圖說明

結合附圖描述本發明的特點、方面和實施例，在附圖中：

圖1是描述根據本發明的一個實施例的半導體裝置的修復電路的框圖；

圖2是描述圖1所示的一種多路復用器的電路圖；

圖3是描述圖1所示的另一種多路復用器的電路圖；以及

圖4是供TSV失效時使用的控制信號和信號傳輸路徑的變化的圖。

具體實施方式

下文中，將通過示例性實施例并結合附圖來描述基于本發明的半導體裝置的修復電路和修復方法。

圖1是描述根據本發明的一個實施例的半導體裝置的修復電路的框圖。參見圖1，根據本發明的實施例的半導體裝置的修復電路100包括：多個穿通硅通孔A至F、發送單元200、接收單元300和控制信號發生單元500。

多個穿通硅通孔A至F包括正常穿通硅通孔(TSV)B、C、E和F，以及修復穿通硅通孔(RTSV)A和D。

修復穿通硅通孔A和D用于替代正常穿通硅通孔B、C、E和F之中失效的穿通硅通孔。

設置多個穿通硅通孔A至F以使在總共六個穿通硅通孔中的兩個穿通硅通孔可用于對正常穿通硅通孔進行修復。作為一個例子，將一個修復穿通硅通孔分配給M個(例如兩個)正常穿通硅通孔，并且重復地設置一個修復穿通硅通孔和兩個正常穿通硅通孔。

發送單元200被配置為基于由多個比特組成的控制信號CT<0:11>，以例如2:1的第一多路復用比對輸入數據GIO0’至GIO3’進行多路復用，并將產生的數據傳輸至多個穿通硅通孔A至F，其中，所述輸入數據GIO0’至GIO3’的每個均由多個比特組成。