[發(fā)明專利]閃爍體、相關(guān)檢測裝置及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010244643.2
• 申請日: 2010-07-30
• 公開（公告）號: CN102344808A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐悟生;劉中仕;阿洛克·M·斯里瓦斯塔瓦;林川;劉艷萍;鄧群;管杰
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;G01T1/202
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 封新琴

1.一種閃爍體，其組成為(Gd_xLu_yM_1-x-y)₂Si₂O₇，其中M為Ce、Pr或其組合；其中0.32＜x＜1；0＜＝y(tǒng)＜＝0.63；0＜1-x-y＜0.05；其中y＝0時(shí)，M為Ce和Pr的組合。

2.如權(quán)利要求1所述的閃爍體，其特征在于：0＜y＜0.62。

3.如權(quán)利要求1所述的閃爍體，其特征在于：0＜y＜0.22。

4.如權(quán)利要求1所述的閃爍體，其特征在于：M為Ce。

5.如權(quán)利要求1所述的閃爍體，其特征在于：其組成為(Gd_0.7753Lu_0.2190Ce_0.00057)₂Si₂O₇或(Gd_0.3800Lu_0.6181Ce_0.0019)₂Si₂O₇。

6.如權(quán)利要求1所述的閃爍體，其特征在于：其組成為(Gd_0.98Ce_0.01Pr_0.01)₂Si₂O₇或(Gd_0.9893Ce_0.0097Pr_0.001)₂Si₂O₇。

7.如權(quán)利要求1所述的閃爍體，其特征在于：其包含焦硅酸釓晶相。

8.如權(quán)利要求7所述的閃爍體，其特征在于：其包含焦硅酸镥晶相。

9.一種包含如權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的閃爍體的檢測裝置。

10.如權(quán)利要求9所述的檢測裝置，其特征在于：其進(jìn)一步包括與所述閃爍體光連接的光子檢測器，所述光子檢測器依據(jù)閃爍體發(fā)出的光脈沖產(chǎn)生一個(gè)電信號。

11.一種用權(quán)利要求9所述的檢測裝置檢測能量的方法，其包括：

由閃爍體接收輻射；

用與閃爍體連接的光子檢測器檢測閃爍體經(jīng)輻射發(fā)出的光子。