[發明專利]具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池無效
| 申請號： | 201010244543.X | 申請日： | 2010-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN102024861A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發明（設計）人： | 王立康 | 申請（專利權）人： | 王立康 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人： | 何為 |
| 地址： | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 孔洞 板式 太陽能電池 | ||
1.一種具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，包含半導體基板、半導體層、P-N接面，該半導體層位于該半導體基板一側的表面上，該P-N接面由該半導體基板與該半導體層構成，其特征在于：所述半導體基板包含數個深孔洞，構成孔洞區與平坦區；各深孔洞的深度為基板厚度的四分之一以上。
2.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述半導體基板為P型半導體，而該半導體層為N型半導體。
3.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述半導體基板為N型半導體，而該半導體層為P型半導體。
4.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述深孔洞經濕蝕刻、干蝕刻、激光或機械加工方式所形成。
5.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述深孔洞為獨立式深孔洞。
6.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述深孔洞為溝槽狀深孔洞。
7.如權利要求6所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述溝槽狀深孔洞的溝槽狀型態為直線型或非直線型。
8.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述深孔洞形成于該半導體基板的受光側。
9.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述深孔洞形成于該半導體基板的背光側。
10.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述各深孔洞的洞底表面距離該基板孔洞側的另一側表面五十微米以下。
11.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述半導體材料為硅、或鍺等第四族元素及其化合物、或三、五族元素及其化合物。
12.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述半導體基板的受光側及背光側表面各含有一將電能引導輸出至外部電路的電極。
13.如權利要求12所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述電極設置該半導體基板一側的孔洞區的電池表面或平坦區的電池表面，而背光側含有背表面場。
14.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述數個深孔洞的個別口徑是從開口處向基板內部延伸呈逐漸縮小狀、逐漸放大狀或維持不變。
15.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述具有孔洞區與平坦區的一側含有抗反射膜。
16.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述具有孔洞區與平坦區的一側呈現為凹凸狀的抗反射表面。
17.如權利要求1所述的具深蝕刻孔洞的基板式太陽能電池，其特征在于：所述具有孔洞區與平坦區的一側表面呈現為凹凸狀，且含有抗反射膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
