[發明專利]在硅襯底上制作臺階生長MgxZn1-xO薄膜的方法

無效

• 申請號: 201010244531.7
• 申請日: 2010-08-04
• 公開（公告）號: CN101969023A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 王新;向嶸;李野;王國政;端木慶鐸;田景全
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 長春科宇專利代理有限責任公司 22001
• 代理人: 曲博

1.一種在硅襯底上制作臺階生長Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，在硅襯底上生長Mg_xZn_1-xO薄膜，其特征在于，在硅襯底上生長Mg_xZn_1-xO薄膜之前，在硅襯底表面制作規則分布的臺階，硅襯底表面因此被劃分為頂層表面、底層表面兩種，頂層表面、底層表面高度相差30～200nm，頂層表面面積之和小于底層表面面積之和。

2.根據權利要求1所述的生長Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，其特征在于，在硅襯底表面制作規則分布的臺階的過程為：

A、在硅襯底(1)上涂覆一層抗蝕劑(2)；

B、在抗蝕劑(2)上覆蓋掩膜版(3)，掩膜版(3)的掩膜(4)圖形與欲制作臺階的硅襯底表面的頂層表面圖形一致，掩膜版(3)的非掩膜部分(5)圖形與欲制作臺階的硅襯底表面的底層表面圖形一致；

C、光刻曝光抗蝕劑(2)；

D、顯影抗蝕劑(2)，抗蝕劑(2)對應非掩膜部分(5)的部分被溶解，其他部分保留下來；

E、采用腐蝕或者刻蝕的方法加工抗蝕劑(2)被溶解處的硅襯底(1)表面，硅襯底(1)表面因此被劃分為頂層表面(6)、底層表面(7)兩種，呈現出規則分布的臺階；

3.根據權利要求2所述的生長Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，其特征在于，每個非掩膜部分(5)的圖形為圓角正方形，邊長為0.1～100μm，或者為圓形，直徑為0.1～100μm；各個非掩膜部分(5)陣列分布，輪廓相距0.1～100μm。

4.根據權利要求2所述的生長Mg_xZn_1-xO薄膜的方法，其特征在于，所述腐蝕或者刻蝕的方法為濕法腐蝕、干法腐蝕或者反應離子刻蝕等方法之一。