[發明專利]太陽能電池背電場、其制作方法和電池片及其制作方法無效
| 申請號: | 201010244442.2 | 申請日: | 2010-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN102347377A | 公開(公告)日: | 2012-02-08 |
| 發明(設計)人: | 范建都 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 電場 制作方法 電池 及其 | ||
1.一種太陽能電池背電場,其特征在于,所述背電場包括若干漿料涂敷區和漿料未涂敷區,所述漿料未涂敷區中含有導電線,所述導電線將各漿料涂敷區導通。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池背電場,其特征在于,以太陽能電池背電場的總面積為基準,所述漿料涂敷區總和所占面積百分比為60%-95%;所述漿料未涂敷區總和所占面積百分比為5%-40%。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池背電場,其特征在于,所述導電線的寬度為0.1mm-2mm。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池背電場,其特征在于,所述導電線間相互平行和/或垂直。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池背電場,其特征在于,所述漿料涂敷區的面積為10-1000mm2。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池背電場,其特征在于,所述漿料涂敷區間的距離為0.05-20mm。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池背電場,其特征在于,所述漿料涂敷區間的距離為0.1-2mm。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池背電場,其特征在于,所述漿料涂敷區的形狀為圓形、三角形、菱形。
9.一種太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,步驟包括:
a、在制備減反射膜后的硅片的背面部分區域涂敷背電場漿料;
b、燒結形成漿料涂敷區和漿料未涂敷區;
c、后在漿料未涂敷區上制備將漿料涂敷區導通的導電線。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,所述燒結的溫度為450℃-600℃,所述燒結的時間為30-90s。
11.根據權利要求9所述的太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,所述在太陽能電池的背面部分區域涂敷背電場漿料的方法包括絲網印刷或噴涂。
12.根據權利要求9所述的太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,在漿料未涂敷區上制備導電線包括通過絲網印刷的方法,在漿料未涂敷區上印刷導電漿料,后焙燒;
或用噴涂的方法,在漿料未涂敷區上噴涂導電漿料,后焙燒。
13.根據權利要求12所述的太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,所述焙燒的溫度為700℃-800℃,時間為5-30s。
14.根據權利要求12所述的太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,所述導電漿料選自銀、銅、鋁、鎳及其合金中的一種或幾種。
15.一種太陽能電池片,包括硅片、位于硅片背面的背電場、位于背電場上的背電極及位于硅片正面的正電極,其特征在于,所述背電場為權利要求1-8任意一項所述的太陽能電池背電場。
16.一種太陽能電池片的制作方法,其特征在于,步驟包括:
a、在制備減反射膜后的硅片的背面部分區域涂敷背電極漿料;
b、在步驟a所得的硅片的背面部分區域涂敷背電場漿料;
c、第一次燒結制備漿料涂敷區及漿料未涂敷區和背電極;
d、后在漿料未涂敷區上涂覆將漿料涂敷區導通的導電漿料;
e、在步驟d所得硅片的正面涂敷正電極漿料后,進行第二次燒結。
17.根據權利要求16所述的太陽能電池背電場的制作方法,其特征在于,所述第一次燒結的溫度為450-600℃,時間為30-90s;第二次燒結的溫度為700-800℃,時間為5-30s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





