[發明專利]GaN基LED外延片、芯片及器件無效
| 申請號： | 201010244358.0 | 申請日： | 2010-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN101931037A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 李抒智;周穎圓;楊衛橋;馬可軍 | 申請（專利權）人： | 上海半導體照明工程技術研究中心 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203 上海市張*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan led 外延 芯片 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基LED外延片，由下至上包括襯底、N型區、有源層和P型區，其特征在于：
所述襯底為非極性襯底；
所述有源層包括多個量子阱組，所述量子阱組包括量子阱，所述量子阱包括勢壘層和勢阱層，所述任一量子阱組的勢阱層中銦組分含量與其他量子阱組的勢阱層中銦組分含量不相同。
2.如權利要求1所述的外延片，其特征在于，在沿所述N型區至所述P型區的方向上，所述多個量子阱組的勢阱層中銦組分含量逐漸遞變。
3.如權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述勢阱層厚度為1.0nm～6.0nm。
4.如權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述勢壘層厚度為8nm～12nm。
5.如權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子阱組所包括量子阱的周期數為3-10。
6.如權利要求1至5所述的外延片，其特征在于，所述N型區包括N型AlxGayN包層和N型GaN層，所述P型區包括p型GaN層和p型AlxGayN包層，所述有源層設置于所述N型GaN包層與所述p型AlxGayN包層之間。
7.如權利要求6所述的外延片，所述非極性襯底具體為鋁酸鋰晶體襯底，所述GaN層為非極性面。
8.一種使用權利要求1-7中任一項所述的外延片制備出的GaN基LED芯片。
9.一種使用權利要求1-7中任一項所述的外延片制備出的GaN基LED器件。
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