[發明專利]半導體發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010244087.9
• 申請日: 2010-08-02
• 公開（公告）號: CN101997072A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 平尾直樹;渡邊秋彥
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關申請的交叉參考

本申請要求于2009年8月10提交的日本專利申請JP2009-185798的優先權，其全部內容結合于此作為參考。

技術領域

本公開涉及一種半導體發光裝置及其制造方法。

背景技術

如圖9中所示，諸如發光二極管(LED)的半導體發光裝置具有由凸起層疊結構20所組成的發光部，在該凸起層疊結構中，在用于制造半導體發光裝置的基板(下文中，有時簡稱為“基板10”)上順序層疊具有n型導電類型的第一化合物半導體層21、有源層23、以及具有p型導電類型的第二化合物半導體層22。將第一電極(n側電極)140設置在基板10上或者第一化合物半導體層21的暴露的部分21a上，并且將第二電極(p側電極)130設置在第二化合物半導體層22的頂部表面上。可以將這種半導體發光裝置劃分為其中經由第二化合物半導體層22從有源層23輸出光的模式的半導體發光裝置和其中經由第一化合物半導體層21從有源層23輸出光的模式的半導體發光裝置(為方便起見，稍后將稱作“底部發光型”)這兩種。

在相關技術的底部發光型的半導體發光裝置中，為了保持高的發光效率，通常，如圖9中所示，常常將用于從有源層23反射可見光的反射電極用于第二電極130。例如，作為反射電極的第二電極130從底部由：由銀(Ag)制成的下層131和由鎳(Ni)制成的上層(覆蓋金屬)132構成(例如，參見C.H.Chou，et?al.，“High?thermally?stable?Ni/Ag(Al)alloy?contacts?on?p-GaN”，Applied?Physics?Letters，90，022102(2007))。上層132覆蓋下層131。這里，通過用銀(Ag)構成下層131，可以獲得高光反射系數。此外，通過用鎳(Ni)構成上層132，防止了由于氧化所導致的下層131劣化，并且防止發生遷移(migration)。在圖9中，參考標號141表示絕緣層；并且每個參考標號142A和142B表示接觸部。

通常，通過剝離方法(lift-off?method)來形成上層132。即，在形成下層131以后，基于光刻技術，在要形成上層132的部分中形成具有開口151的抗蝕層150(參見圖10A)。隨后，通過真空氣相沉積方法在整個表面上形成上層132(參見圖10B)。下文中，通過去除抗蝕層150和位于其上的上層132，可以獲得在圖9中所示的第二電極結構。

發明內容

然而，在基于這種剝離法形成上層(覆蓋金屬)132期間，出現了在抗蝕層150中的開口151的形成精度的問題；需要大的對準公差；并且存在不能有效地達到通過上層132防止下層131被氧化或者防止發生遷移的情況。具體地，半導體發光裝置的尺寸越小，第二電極(p側電極)130越小；并且因此，這些問題變得明顯。

因此，期望提供一種能夠以高可靠性和高精度尤其形成第二電極的覆蓋金屬的用于制造半導體發光裝置的方法，以及基于這種方法所獲得的半導體發光裝置。

在實施例中，半導體發光裝置包括：發光部以及形成在發光部上的電極。電極包括：光反射層，被配置為反射從發光部所發出的光并且包括第一金屬；第一籽晶層，直接形成在光反射層上并且包括第二金屬；第二籽晶層，至少涂覆(coat，或覆蓋)光反射層和第一籽晶層的側表面，第二籽晶層包括第三金屬；以及電鍍層，至少涂覆第二籽晶層的頂部和側表面，電鍍層包括第四金屬。

在另一實施例中，半導體發光裝置包括發光部，該發光部包括：具有第一導電類型的第一半導體層、有源層以及具有與第一導電類型相對(或相反)的第二導電類型的第二半導體層。半導體發光裝置還包括形成在發光部上的電極。電極包括：光反射層，包括Ag并被配置為反射從發光部所發出的光；第一籽晶層，包括Al并形成在光反射層上；第二籽晶層，包括Zn并至少涂覆光反射層和第一籽晶層的側表面；以及電鍍層，包括Ni并至少涂覆第二籽晶層的頂部表面和側表面。

在另一實施例中，制造半導體發光裝置的方法包括形成發光部和在發光部的第二半導體層上形成電極。形成電極包括：形成被配置為反射從發光部所發出的光并且包括第一金屬的光反射層；在光反射層上形成第一籽晶層，第一籽晶層包括第二金屬；至少在光反射層和第一籽晶層的側表面上形成第二籽晶層，第二籽晶層包括第三金屬；以及至少在第二籽晶層的頂部表面和側表面上形成電鍍層，電鍍層包括第四金屬。通過剝離法形成光反射層和第一籽晶層。