[發明專利]高頻裝置有效
| 申請號: | 201010243766.4 | 申請日: | 2010-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN101997506A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發明(設計)人: | 秋葉朗;御手洗俊;池田浩一 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H03H7/09 | 分類號: | H03H7/09 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高頻 裝置 | ||
1.一種高頻裝置,包括:
基板,具有凹陷;
電介質層,在所述基板之上;以及
多個電子元件,提供在所述電介質層中或者所述電介質層上,并且所述多個電子元件中的至少一個與所述凹陷相對。
2.根據權利要求1所述的高頻裝置,其中所述基板是半導體基板或電介質基板。
3.根據權利要求2所述的高頻裝置,其中所述基板是硅基板。
4.根據權利要求1所述的高頻裝置,其中所述電子元件至少包括電感元件和電容元件,并且
與所述凹陷相對的所述電子元件是所述電感元件。
5.根據權利要求4所述的高頻裝置,其中所述電子元件還包括電阻元件。
6.根據權利要求4所述的高頻裝置,其中所述多個電子元件構成濾波電路。
7.根據權利要求5所述的高頻裝置,其中所述多個電子元件構成阻抗匹配電路。
8.根據權利要求1所述的高頻裝置,其中絕緣層提供在所述基板和所述電介質層之間。
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